Infineon N Kanal, MOSFET, 123 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- RS-artikelnummer:
- 258-0714
- Tillv. art.nr:
- BSZ0501NSIATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 20 till för att spara 12%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
40,88 kr
(exkl. moms)
51,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 922 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | 20,44 kr | 40,88 kr | - |
| 20 - 48 | 17,92 kr | 35,84 kr | 12% |
| 50 - 98 | 16,69 kr | 33,38 kr | 18% |
| 100 - 198 | 15,51 kr | 31,02 kr | 24% |
| 200 + | 14,56 kr | 29,12 kr | 28% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-0714
- Tillv. art.nr:
- BSZ0501NSIATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 123A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | BSZ | |
| Kapseltyp | TSDSON | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 15mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Framåtriktad spänning Vf | 700mV | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 123A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie BSZ | ||
Kapseltyp TSDSON | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 15mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Framåtriktad spänning Vf 700mV | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 25 V- och 30 V-produktfamiljen erbjuder referenslösningar genom att möjliggöra högsta effekttäthet och energieffektivitet, både i standby- och full drift.
Best-in-class on-state-resistans
Benchmark switching-prestanda
Högsta effektivitet
Högsta effekttäthet med S3O8- eller powerblock-paket
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 123 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 149 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 102 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 104 A 60 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 80 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 158 A 40 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 223 A 25 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ