Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V N, 3 Ben, TO-263, iPB

RS-artikelnummer:: 258-3785
Tillv. art.nr:: IPB020N10N5LFATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V N, 3 Ben, TO-263, iPB

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

32 052,00 kr

(exkl. moms)

40 065,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 03 november 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
1000 +	32,052 kr	32 052,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 258-3785
Tillv. art.nr:: IPB020N10N5LFATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	120A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Serie	iPB
	Kapseltyp	TO-263
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	2mΩ
	Kanalläge	N
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	195nC
	Maximal effektförlust Pd	313W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	890mV
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS, IEC 61249-2-21
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Serie iPB
	Kapseltyp TO-263
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 2mΩ
	Kanalläge N
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 195nC
	Maximal effektförlust Pd 313W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf 890mV
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden RoHS, IEC 61249-2-21
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IPB020N10N5LFATMA1

Infineon iPB-serien MOSFET, 100 V maximal drain-source-spänning, 120 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPB020N10N5LFATMA1

Denna MOSFET är en högströms N-kanals effekttransistor som är utformad för ytmonterad strömomkoppling i krävande termiska miljöer. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och ger stark ledningsförmåga för tillämpningar som kräver betydande kontinuerlig dräneringsström och måttlig gate-drivenergi.

Funktioner och fördelar:

• Låg påslagningsresistans minskar ledningsförluster för drift med hög ström
• Hög effektförlust möjliggör hållbar lasthantering vid hög effektförlust
• Robust drain-källspänning möjliggör säker omkoppling upp till 100 V
• Stor kontinuerlig dräneringsströmkapacitet stöder system med hög ström
• Måttlig grindladdning balanserar krav på växlingshastighet och grinddrivning

Användningsområden

• Lämplig för högströms DC-strömfördelningsblock
• Idealisk för switchade nätaggregat i kompakta system
• Används med motordrivkretsar som kräver 100 V toleranser
• Kan användas för server- och telekomkraftsteg
• Lämplig för industriella omvandlare som arbetar vid förhöjda temperaturer

Vilka omgivningstemperaturer tål den?

Den fungerar i ett brett intervall från -55 °C till 150 °C och stöder både kallstart och drift vid höga temperaturer.

Hur är den förpackad för montering på kretskort?

Den levereras i en TO-263-förpackning för ytmontering avsedd för kretskortsmonterade kraftinstallationer.

Vilka grinddrivaröverväganden gäller för omkopplingsprestanda?

Den typiska totala grindladdningen är 195 nC, vilket informerar grinddrivarens ström- och omkopplingstimeringskrav.

Vilka säkerhetsgränser styr gate-to-source-utflykter?

Den maximala tillåtna gate-källspänningen är 20 V och bör inte överskridas för att undvika enhetsbelastning.