Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V N, 3 Ben, TO-263, iPB

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

28 125,00 kr

(exkl. moms)

35 156,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +28,125 kr28 125,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
258-3785
Tillv. art.nr:
IPB020N10N5LFATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

120A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-263

Serie

iPB

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2mΩ

Kanalläge

N

Framåtriktad spänning Vf

0.89V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

313W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

195nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS, IEC 61249-2-21

Fordonsstandard

Nej

The Infineon OptiMOS Linear FET is a revolutionary approach to avoid the trade-off between on-state resistance and linear mode capability operation in the saturation region of an enhanced mode MOSFET. It offers the state-of-the-art R DS(on) of a trench MOSFET together with the wide safe operating area of a classic planar MOSFET.

High max. pulse current

High continuous pulse current

Rugged linear mode operation

Low conduction losses

Relaterade länkar