Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 39.5 A 30 V P, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- RS-artikelnummer:
- 259-1486
- Tillv. art.nr:
- BSZ180P03NS3EGATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
67,09 kr
(exkl. moms)
83,86 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 980 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 6,709 kr | 67,09 kr |
| 100 - 240 | 6,373 kr | 63,73 kr |
| 250 - 490 | 4,021 kr | 40,21 kr |
| 500 - 990 | 3,853 kr | 38,53 kr |
| 1000 + | 3,786 kr | 37,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 259-1486
- Tillv. art.nr:
- BSZ180P03NS3EGATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 39.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | TSDSON | |
| Serie | BSZ | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 18Ω | |
| Kanalläge | P | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 39.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp TSDSON | ||
Serie BSZ | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 18Ω | ||
Kanalläge P | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons mycket innovativa optimos-familjer inkluderar p-kanals effekt-MOSFET. Dessa produkter uppfyller konsekvent de högsta kvalitets- och prestandakraven i nyckelspecifikationer för kraftsystemutformning, t.ex. påslagningsresistans och meritfaktor.
Förbättringsläge
Normal nivå, logiknivå eller superlogiknivå
Avalanche-klassad
Blyfri plätering RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 39.5 A 30 V P, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 5.1 A 20 V Dubbel, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 102 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 61 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 123 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 186 A 25 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 223 A 25 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ