Infineon Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 5.1 A 20 V Dubbel, 8 Ben, TSDSON, BSZ

RS-artikelnummer:: 258-0721
Tillv. art.nr:: BSZ215CHXTMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 5.1 A 20 V Dubbel, 8 Ben, TSDSON, BSZ

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

30,74 kr

(exkl. moms)

38,42 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 4 744 enhet(er) från den 09 november 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
2 +	15,37 kr	30,74 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 258-0721
Tillv. art.nr:: BSZ215CHXTMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P, Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	5.1A
	Maximal källspänning för dränering Vds	20V
	Kapseltyp	TSDSON
	Serie	BSZ
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	150mΩ
	Kanalläge	Dubbel
	Framåtriktad spänning Vf	700mV
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	+175°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P, Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.1A
	Maximal källspänning för dränering Vds 20V
	Kapseltyp TSDSON
	Serie BSZ
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 150mΩ
	Kanalläge Dubbel
	Framåtriktad spänning Vf 700mV
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur +175°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - BSZ215CHXTMA1

Infineon BSZ-serien MOSFET, 20 V maximal drain-source-spänning, 5,1 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSZ215CHXTMA1

Denna dubbelkanaliga MOSFET kombinerar P- och N-kanalselement i ett kompakt ytmonterat paket för strömomkopplings- och hanteringsuppgifter. Utformad för montering på kortnivå, fungerar över ett brett temperaturområde och är lämplig för tillämpningar där båda polaritetskanalerna krävs i en enda enhet samtidigt som RoHS-direktiven följs.

Funktioner och fördelar:

• Lågt avtappnings- och källmotstånd minskar ledningsförluster
• Tvåkanaligt arrangemang möjliggör kompletterande omkopplingsfunktioner
• TSDSON 8-stifts ytmontering underlättar placering av kretskort med hög densitet
• 0,7 V framspänning minimerar grinddrivningens överhettning
• Bred temperaturtolerans stöder tuffa termiska miljöer

Användningsområden

• Lämplig för DC-strömfördelningsmoduler i kompakta system
• Idealisk för kompletterande halvbrygga på enskilda kort
• Används för grinddrivare och lastomkoppling i styrningselektronik
• Kan användas för värmestabila konstruktioner som arbetar i extrema förhållanden

Vilket är det maximala omgivningstemperaturområdet den kan hantera?

Den är specifik för drift upp till en maximal temperatur på +175 °C.

Hur stöder enheten omkoppling med låga förluster?

Enheten har ett maximalt drain-source-motstånd på 150 mΩ, vilket minskar ledningsförlusterna vid drift med hög ström.

Vilket antal stift och vilken monteringsstil bör designers förvänta sig?

Komponenten levereras i en 8-stifts TSDSON-kapsel konfigurerad för ytmontering.

Finns båda kanalpolariteterna i samma förpackning?

Ja, komponenten integrerar både P-kanal och N-kanal MOSFET för kompletterande kretsdesigner.

Är enheten lämplig för fordonsspecifikationer?

Den är inte utsedd som en del enligt fordonsstandard men överensstämmer med RoHS-miljöbegränsningar.