Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 25 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- RS-artikelnummer:
- 259-1482
- Distrelec artikelnummer:
- 304-40-502
- Tillv. art.nr:
- BSZ036NE2LSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
68,10 kr
(exkl. moms)
85,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 4 800 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 6,81 kr | 68,10 kr |
| 100 - 240 | 6,642 kr | 66,42 kr |
| 250 - 490 | 6,462 kr | 64,62 kr |
| 500 - 990 | 6,294 kr | 62,94 kr |
| 1000 + | 6,138 kr | 61,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 259-1482
- Distrelec artikelnummer:
- 304-40-502
- Tillv. art.nr:
- BSZ036NE2LSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 25V | |
| Serie | BSZ | |
| Kapseltyp | TSDSON | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.1Ω | |
| Kanalläge | N | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 25V | ||
Serie BSZ | ||
Kapseltyp TSDSON | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.1Ω | ||
Kanalläge N | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Med produktfamiljen Infineon optimos 25V sätter Infineon nya standarder för effekttäthet och energieffektivitet för diskreta effekt-MOSFET:er och system i paket. Ultralåg grind- och utgångsladdning, tillsammans med lägsta on-state-motstånd i små kapslingar, gör optimos 25V till det bästa valet för de krävande kraven på spänningsregulatorlösningar i servrar, datakom- och telekomapplikationer. Finns i halvbryggkonfiguration (effektsteg 5x6). Den minimerar EMI i systemet, vilket gör externa snubbernätverk överflödiga och produkterna är lätta att designa in.
Minska de totala systemkostnaderna genom att minska antalet faser i flerfasomvandlare
Minskar effektförlusterna och ökar effektiviteten under alla belastningsförhållanden
Spara utrymme med de minsta förpackningarna som CanPAK, S3O8 eller system i förpackningslösning
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 25 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 186 A 25 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 223 A 25 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 80 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 158 A 40 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 104 A 60 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 200 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ