Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 15 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SPD15P10P
- RS-artikelnummer:
- 258-7790
- Tillv. art.nr:
- SPD15P10PLGBTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
127,01 kr
(exkl. moms)
158,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 350 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 25,402 kr | 127,01 kr |
| 25 - 45 | 21,884 kr | 109,42 kr |
| 50 - 120 | 20,586 kr | 102,93 kr |
| 125 - 245 | 19,062 kr | 95,31 kr |
| 250 + | 13,978 kr | 69,89 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-7790
- Tillv. art.nr:
- SPD15P10PLGBTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 15A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | SPD15P10P | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.20Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -0.96V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 47nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 230W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC Q101, Pb-free lead plating, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 15A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie SPD15P10P | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.20Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -0.96V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 47nC | ||
Maximal effektförlust Pd 230W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden AEC Q101, Pb-free lead plating, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons SIPMOS-effekttransistor tillhör de mycket innovativa OptiMOS-familjen P-kanals-effekt-MOSFET: erna. Dessa produkter uppfyller konsekvent de högsta kvalitets- och prestandakraven i nyckelspecifikationer för strömförsörjningsdesign, t. ex. på resistans och meritfaktor.
Förbättringsläge
Avalanche-klassad
Blyplätering utan bly
RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 15 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SPD15P10P
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SPD15P10P
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 15 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TSDSON, SPD15P10P
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 70 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS P
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -11 A -55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 13.7 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 9 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 13 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET