Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 15 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TSDSON, SPD15P10P
- RS-artikelnummer:
- 258-7097
- Tillv. art.nr:
- SPD15P10PGBTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 258-7097
- Tillv. art.nr:
- SPD15P10PGBTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 15A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | SPD15P10P | |
| Kapseltyp | TSDSON | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.24Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 37nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.35V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 15A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie SPD15P10P | ||
Kapseltyp TSDSON | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.24Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 37nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.35V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons SIPMOS effekttransistor tillhör mycket innovativa OptiMOS-familjen P-kanals effekt-MOSFET. Dessa produkter uppfyller konsekvent de högsta kvalitets- och prestandakraven i nyckelspecifikationer för strömförsörjningsdesign, t. ex. på resistans och meritfaktor.
Förbättringsläge
Avalanche-klassad
Blyplätering utan bly
RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 15 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TSDSON, SPD15P10P
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 15 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SPD15P10P
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SPD15P10P
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS P
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 39.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS P3
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -19.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSDSON-8FL, OptiMOS Power Transistor
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 60 V P, TSDSON, iPB
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 39.5 A 30 V P, 8 Ben, TSDSON, BSZ