Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SPD15P10P
- RS-artikelnummer:
- 258-4032
- Tillv. art.nr:
- SPD04P10PGBTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 258-4032
- Tillv. art.nr:
- SPD04P10PGBTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | SPD15P10P | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -10V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 9nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie SPD15P10P | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -10V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons P-kanals effekt-MOSFET är en mycket innovativ OptiMOS-familj som inkluderar p-kanals effekt-MOSFET. Dessa produkter uppfyller konsekvent de högsta kvalitets- och prestandakraven i nyckelspecifikationer för kraftsystemutformning, t.ex. påslagningsresistans och meritfaktor.
Förbättringsläge
Avalanche-klassad
Blyfri plätering; RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SPD15P10P
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 15 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SPD15P10P
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 15 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TSDSON, SPD15P10P
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 70 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS P
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -11 A -55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 13.7 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 9 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 13 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET