Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 6.6 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

9 166,00 kr

(exkl. moms)

11 458,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 26 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
2000 - 20004,583 kr9 166,00 kr
4000 +4,354 kr8 708,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
913-4795
Tillv. art.nr:
IRFR9120NTRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6.6A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-252

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

480mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

-1.6V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Maximal effektförlust Pd

40W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

27nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

2.39mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

6.22mm

Längd

6.73mm

Fordonsstandard

Nej

MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 6,6A maximal kontinuerlig dräneringsström, 40W maximal effektförlust - IRFR9120NTRPBF


Denna MOSFET spelar en viktig roll i moderna elektroniska kretsar, särskilt i applikationer som kräver effektiv strömhantering. Den kännetecknas av sin förmåga att leverera hög prestanda och låg on-resistans, vilket gör den lämplig för ett brett spektrum av elektriska och elektroniska system. Denna enhet är skräddarsydd för att uppfylla kraven inom sektorer som automation, elektroteknik och andra områden som är beroende av lösningar för strömhantering.

Funktioner & fördelar


• Hög kontinuerlig dräneringsström på 6,6 A ger effektiv drift

• Kan hantera spänningar på upp till 100 V för krävande applikationer

• Utformad i DPAK TO-252-paket för exakt ytmontering

• Lågt maximalt drain-source-motstånd på 480 mΩ förbättrar strömeffektiviteten

• Ger ett tröskelspänningsintervall för grinden på 2 V till 4 V för tillförlitlig styrning

• Stöder Enhancement Mode för att förbättra växlingsprestandan

Användningsområden


• Används för strömhantering i automationssystem

• Används i konstruktioner av DC-DC-omvandlare

• Lämplig för högströmskoppling i industriell utrustning

• Integrerad i strömförsörjningskretsar för effektiv prestanda

• Tillämplig i inverterarkretsar och motorstyrning

Vilken är den optimala driftstemperaturen för den här produkten?


Den optimala driftstemperaturen sträcker sig från -55°C till +150°C, vilket ger effektiv prestanda i olika miljöer.

Hur kan grindtröskelspänningen påverka prestandan?


Den maximala tröskelspänningen för grinden påverkar kopplingsbeteendet; det definierade intervallet på 2V till 4V säkerställer tillförlitliga på/av-förhållanden.

Finns det någon specifik metod för att montera den här enheten?


Den är konstruerad för ytmonterade applikationer, särskilt inom DPAK TO-252-fotavtrycket, vilket underlättar integrering i mönsterkortslayouter.

Vad betyder den låga RDS(on) för min krets?


En låg RDS(on) bidrar till att minimera strömförlusten under drift, vilket förbättrar den totala systemeffektiviteten och minskar värmeutvecklingen.

Kan denna produkt hantera omvänd ström?


Ja, den har egenskaper som är lämpliga för att effektivt hantera omvända strömmar och säkerställa stabilitet i olika applikationer.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.