Infineon N Kanal, MOSFET, 61 A 55 V, TO-252, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

9 344,00 kr

(exkl. moms)

11 680,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 01 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2000 +4,672 kr9 344,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
258-3998
Tillv. art.nr:
IRLR3915TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

61A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Kapseltyp

TO-252

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

17mΩ

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

61nC

Maximal effektförlust Pd

120W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

16V

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Infineons HEXFET power MOSFET utnyttjar de senaste bearbetningsteknikerna för att uppnå extremt låg on-resistans per kiselarea. Ytterligare egenskaper hos denna produkt är en driftstemperatur på 175°C, snabb omkopplingshastighet och förbättrad repetitiv lavinklassning. Dessa egenskaper samverkar till att göra denna konstruktion till en extremt effektiv och tillförlitlig enhet som kan användas i en mängd olika applikationer.

Avancerad processteknik

Ultra låg på-resistans

Snabbväxlande

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.