Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 637 A 40 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 285-038
- Tillv. art.nr:
- IQDH45N04LM6CGATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 5000 enheter)*
135 395,00 kr
(exkl. moms)
169 245,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 27,079 kr | 135 395,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 285-038
- Tillv. art.nr:
- IQDH45N04LM6CGATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 637A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PG-TTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 9 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.45mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 333W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 637A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PG-TTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 9 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.45mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 333W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET har en avancerad effekttransistor som utmärker sig i högpresterande tillämpningar, vilket ger exceptionell effektivitet och tillförlitlighet. Den är utformad inom OptiMOS 6-serien och har imponerande elektriska egenskaper, vilket sätter en ny standard för MOSFET-teknik. Med 100 % lavintester kan användarna lita på dess robusthet, oavsett om den används i strömhantering eller motorstyrningstillämpningar. Dessutom säkerställer dess RoHS-kompatibilitet och halogenfria egenskaper att den följer strikta miljöstandarder, vilket gör den till ett smart val för miljömedvetna projekt.
N-kanaldesign för tillämpningar på logisk nivå
Enastående värmebeständighet för värmeavledning
Konstruerad för snabb växlingseffektivitet
Avalanche-klassificering för tillförlitlighet under stress
Blyfri och RoHS-kompatibel för miljövänlighet
Halogenfri konstruktion uppfyller säkerhetsnormer
JEDEC-certifierad för industriell prestanda
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 637 A 40 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 789 A 25 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 273 A 100 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 323 A 80 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 447 A 60 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 610 A 40 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 445 A 60 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 151 A 60 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS