Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -73 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 258-3861
Tillv. art.nr:: IPD70P04P409ATMA2
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -73 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

11 342,50 kr

(exkl. moms)

14 177,50 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 11 januari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2500 +	4,537 kr	11 342,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 258-3861
Tillv. art.nr:: IPD70P04P409ATMA2
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	-73A
	Maximal källspänning för dränering Vds	-40V
	Serie	IPD
	Kapseltyp	TO-252
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	8.9mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	-1V
	Maximal effektförlust Pd	75W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	54nC
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	DIN IEC 68-1, RoHS
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -73A
	Maximal källspänning för dränering Vds -40V
	Serie IPD
	Kapseltyp TO-252
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 8.9mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf -1V
	Maximal effektförlust Pd 75W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 54nC
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden DIN IEC 68-1, RoHS
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - IPD70P04P409ATMA2

Infineon IPD-serien MOSFET, 75 W effektförlust -40 V drain-source-spänning - IPD70P04P409ATMA2

Denna MOSFET är en effekttransistor i P-kanalförstärkningsläge som är utformad för ytmonteringstillämpningar i krävande elektriska miljöer. Den fungerar i ett brett temperaturområde från -55 °C till 175 °C och är lämplig där högströmshantering och kompakt montering krävs. Enheten uppfyller RoHS och uppfyller fordonsstandard AEC-Q101 för användning i fordonsklassad elektronik.

Funktioner och fördelar:

• 8.9 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster och förbättrar effektiviteten
• Kontinuerlig dräneringsström på -73 A stöder höga strömkrav
• Effektförlust på 75 W möjliggör hållbar strömhantering
• 54 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbart omkopplingsbeteende
• TO‐252-kapseln underlättar kompakt ytmontering

Användningsområden

• Lämplig för omkoppling av högströmslaster i fordonssystem
• Idealisk för skydd mot omvänd polaritet i strömskenor
• Används med strömhanteringskretsar i fordonselektronik
• Kan användas för synkronstyrning i DC-effektsteg
• Lämplig för termiskt stabila konstruktioner över breda temperaturområden

Vilken spänningsklassning gäller mellan avtappning och källa?

Enheten är klassad för -40 V maximal dränerings-till-källspänning.

Vilka gränsspänningsgränser måste iakttas för att undvika skador?

Gate‐to‐source-spänningen får inte överstiga 20 V för att förhindra grindstress.

Hur påverkar förpackningen kretskortsmontering?

Formfaktorn TO‐252 för ytmontering stöder standardlödningsprocesser och kompakta kortlayouter.

Vilka termiska extremer kan enheten tolerera under drift?

Den är specifik för drift från -55 °C upp till 175 °C för ett brett temperaturområde.