Infineon N Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 258-3849
- Tillv. art.nr:
- IPD60N10S412ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (2 enheter, i en förpackning med 2)*
43,79 kr
(exkl. moms)
54,74 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 292 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 21,895 kr | 43,79 kr |
| 20 - 48 | 19,095 kr | 38,19 kr |
| 50 - 98 | 17,92 kr | 35,84 kr |
| 100 - 198 | 16,745 kr | 33,49 kr |
| 200 + | 15,455 kr | 30,91 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3849
- Tillv. art.nr:
- IPD60N10S412ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 60A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 12.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 26nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 94W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 60A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 12.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 26nC | ||
Maximal effektförlust Pd 94W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-T2-effekttransistor är ett P-kanals normalt nivåförbättringsläge. Den har en drifttemperatur på 175 °C.
AEC-godkänd
MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 14 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 13 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101