Infineon N Kanal, MOSFET, 2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

231,96 kr

(exkl. moms)

289,96 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 120 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 +11,598 kr231,96 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
217-2532
Tillv. art.nr:
IPD80R2K7C3AATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Kapseltyp

TO-252

Serie

IPD

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2.7Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

12nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

42W

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

6.22mm

Längd

6.73mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

2.41mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon CoolMOSTM C3A-tekniken har utformats för att möta de växande kraven på högre systemspänningar inom elfordon, som PHEV och BEV.

Klassens bästa kvalitet och tillförlitlighet

Högre genombrottsspänning

Hög toppströmskapacitet

Godkänd enligt AEC Q101 för fordon

Grön förpackning (RoHS-kompatibel)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.