Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 249-6911
- Tillv. art.nr:
- IPD90N03S4L03ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
48,94 kr
(exkl. moms)
61,18 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 470 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 24,47 kr | 48,94 kr |
| 20 - 48 | 21,73 kr | 43,46 kr |
| 50 - 98 | 20,215 kr | 40,43 kr |
| 100 - 198 | 18,87 kr | 37,74 kr |
| 200 + | 17,47 kr | 34,94 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 249-6911
- Tillv. art.nr:
- IPD90N03S4L03ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 75V | |
| Serie | IPD | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 75V | ||
Serie IPD | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS är en effekt-MOSFET för fordonstillämpningar. Driftkanalen är N. Den är AEC Q101-kvalificerad. MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning. Grön produkt (RoHS-kompatibel) och den är 100 % Avalanche-testad.
175 °C drifttemperatur
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -80 A -30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -85 A -40 V Förbättring, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -50 A -30 V Förbättring, PG-TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 75 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 75 V P, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101