Infineon N Kanal, MOSFET, 14 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 217-2536
- Tillv. art.nr:
- IPD95R450P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
202,05 kr
(exkl. moms)
252,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 600 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 20,205 kr | 202,05 kr |
| 20 - 40 | 19,197 kr | 191,97 kr |
| 50 - 90 | 18,805 kr | 188,05 kr |
| 100 - 240 | 17,584 kr | 175,84 kr |
| 250 + | 16,374 kr | 163,74 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2536
- Tillv. art.nr:
- IPD95R450P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 14A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 950V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 450mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 104W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.73mm | |
| Höjd | 2.41mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 14A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 950V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 450mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximal effektförlust Pd 104W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.73mm | ||
Höjd 2.41mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 6.22mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon IPD-serien MOSFET, 950 V drain source-spänning, 14 A kontinuerlig drain-ström – IPD95R450P7ATMA1
Denna MOSFET är en högspännings-N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för omkopplings- och strömhanteringsroller i krävande elektriska system. Den fungerar över ett brett temperaturområde för industri- och fordonssammanhang och levereras i ett TO-252-paket för ytmontering för kompakt integrering på kortnivå.
Funktioner och fördelar:
• 950 V drain-source-klassning möjliggör högspänningskopplingskapacitet
• 14 A kontinuerlig avtappningsström för hållbar lasthantering
• 104 W effektförlust för att hantera termisk påfrestning under belastning
• 450 mΩ RDS(on) minskar ledningsförluster under drift
• 35 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbart omkopplingsbeteende
• 20 V maximal gate-källspänning med stöd för robust gate-drivning
• 14 A kontinuerlig avtappningsström för hållbar lasthantering
• 104 W effektförlust för att hantera termisk påfrestning under belastning
• 450 mΩ RDS(on) minskar ledningsförluster under drift
• 35 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbart omkopplingsbeteende
• 20 V maximal gate-källspänning med stöd för robust gate-drivning
Användningsområden
• Lämplig för högeffektsomvandlingsfaser
• Idealisk för fordonsdelsystem som uppfyller AEC-Q101-kraven
• Används med switchade nätaggregat som hanterar förhöjda spänningar
• Kan användas för industriella motorstyrningsgränssnitt
• Används för DC/DC-omvandlare som kräver en ytmonterad formfaktor
• Idealisk för fordonsdelsystem som uppfyller AEC-Q101-kraven
• Används med switchade nätaggregat som hanterar förhöjda spänningar
• Kan användas för industriella motorstyrningsgränssnitt
• Används för DC/DC-omvandlare som kräver en ytmonterad formfaktor
Inom vilket temperaturintervall kan den användas på ett tillförlitligt sätt?
Den är klassad för kontinuerlig användning från −55 °C till 150 °C.
Hur många stift har enheten för kretskortsrouting?
Komponenten har tre elektriska anslutningar för grind, dränering och källa.
Vilken monteringsmetod krävs för montering?
Den är avsedd för ytmontering på lämpliga lödplattor.
Vilken är framåtvänd spänning hos den inneboende kroppsdioden?
Diodens framspänning är specificerad som 0,9 V.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -85 A -40 V Förbättring, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -50 A -30 V Förbättring, PG-TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -90 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 50 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101