Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

87,14 kr

(exkl. moms)

108,92 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 998 enhet(er) från den 12 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1843,57 kr87,14 kr
20 - 4836,625 kr73,25 kr
50 - 9834,385 kr68,77 kr
100 - 19831,81 kr63,62 kr
200 +29,57 kr59,14 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-3818
Tillv. art.nr:
IPB80P04P4L04ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

80A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

TO-263

Serie

iPB

Typ av fäste

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

40.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-P2-effekttransistor har lägsta omkopplings- och ledningseffektsförluster för högsta termiska effektivitet. Robusta förpackningar med överlägsen kvalitet och tillförlitlighet.

Ingen laddningspump krävs för High-Side-drivning

Enkel gränssnittsdrivkrets

Högsta strömkapacitet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.