Infineon N Kanal, MOSFET, 161 A 40 V N, 8 Ben, TDSON, OptiMOS

Se alla MOSFET-transistor
Få en mängdrabatt

Lägg till 20 till för att spara 38,00 kr

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

35,50 kr

(exkl. moms)

44,38 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 976 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
Besparing
2 - 1817,75 kr35,50 kr-
20 - 4815,85 kr31,70 kr38,00 kr
50 - 9815,12 kr30,24 kr131,50 kr
100 - 19813,89 kr27,78 kr386,00 kr
200 +13,05 kr26,10 kr940,00 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-0683
Tillv. art.nr:
BSC019N04LSATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

161A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

OptiMOS

Kapseltyp

TDSON

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.20mΩ

Kanalläge

N

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

21nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal effektförlust Pd

78W

Maximal arbetstemperatur

+175°C

Standarder/godkännanden

RoHS, IEC 61249-2-21

Fordonsstandard

Nej

Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 40 V maximal drain-source-spänning, 161 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSC019N04LSATMA1


Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanals effekttransistor som är utformad för högströmsomkoppling i kompakta enheter. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och är lämplig för termiskt påfrestande miljöer. Enheten erbjuder låga ledningsförluster och levereras i ett åttapoligt TDSON-paket för täta kortlayouter.

Funktioner och fördelar:


• 1,20 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster för effektivitet
• 78 W effektförlust stöder kontinuerlig drift med hög effekt
• 21 nC grindladdning möjliggör kontrollerade omkopplingsövergångar
• ±20 V grindklassning tolererar robusta drivspänningar
• Område -55 °C till +175 °C möjliggör extrem temperaturbeständighet

Användningsområden


• Lämplig för DC/DC-omvandlingsstegen med hög strömstyrka
• Idealisk för synkron likriktering i strömförsörjningar
• Används med MOSFET-drivare i motorstyrningsväxelriktare
• Kan användas för server- och telekomkraftdistribution
• Lämplig för kompakta ytmonterade strömmoduler

Vilken kapslingstyp underlättar kompakta kortlayouter?


Den levereras i ett 8-stifts TDSON-paket för ytmontering som sparar kortyta och underlättar termiskt gränssnitt.

Hur hanterar enheten höga kontinuerliga strömmar?


Transistorn stöder en kontinuerlig dräneringsström på 161 A, vilket möjliggör kontinuerlig högströmsomkoppling när den monteras med lämplig värmehantering.

Vilka standarder och materialbegränsningar gäller för komponenten?


Enheten uppfyller RoHS-kraven och följer IEC 61249-2-21 materialspecifikationer.

Vad är den maximala spänningsförmågan mellan drain och source?


Den maximala tillåtna drain-källspänningen är 40 V, vilket definierar dess säkra driftspänningsgräns.

Vilken kanalkonfiguration använder transistorn?


Den använder en N-kanalkonfiguration som är lämplig för låg-sidiga eller synkrona omkopplingstopologier.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.