Infineon N Kanal, MOSFET, 161 A 40 V N, 8 Ben, TDSON, OptiMOS

RS-artikelnummer:: 258-0682
Tillv. art.nr:: BSC019N04LSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 161 A 40 V N, 8 Ben, TDSON, OptiMOS

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

24 730,00 kr

(exkl. moms)

30 910,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 11 januari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	4,946 kr	24 730,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 258-0682
Tillv. art.nr:: BSC019N04LSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	161A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Kapseltyp	TDSON
	Serie	OptiMOS
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	1.20mΩ
	Kanalläge	N
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	21nC
	Maximal effektförlust Pd	78W
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Maximal arbetstemperatur	+175°C
	Standarder/godkännanden	RoHS, IEC 61249-2-21
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 161A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Kapseltyp TDSON
	Serie OptiMOS
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 1.20mΩ
	Kanalläge N
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 21nC
	Maximal effektförlust Pd 78W
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Maximal arbetstemperatur +175°C
	Standarder/godkännanden RoHS, IEC 61249-2-21
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - BSC019N04LSATMA1

Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 40 V maximal drain-source-spänning, 161 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSC019N04LSATMA1

Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanals effekttransistor som är utformad för högströmsomkoppling i kompakta enheter. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och är lämplig för termiskt påfrestande miljöer. Enheten erbjuder låga ledningsförluster och levereras i ett åttapoligt TDSON-paket för täta kortlayouter.

Funktioner och fördelar:

• 1,20 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster för effektivitet
• 78 W effektförlust stöder kontinuerlig drift med hög effekt
• 21 nC grindladdning möjliggör kontrollerade omkopplingsövergångar
• ±20 V grindklassning tolererar robusta drivspänningar
• Område -55 °C till +175 °C möjliggör extrem temperaturbeständighet

Användningsområden

• Lämplig för DC/DC-omvandlingsstegen med hög strömstyrka
• Idealisk för synkron likriktering i strömförsörjningar
• Används med MOSFET-drivare i motorstyrningsväxelriktare
• Kan användas för server- och telekomkraftdistribution
• Lämplig för kompakta ytmonterade strömmoduler

Vilken kapslingstyp underlättar kompakta kortlayouter?

Den levereras i ett 8-stifts TDSON-paket för ytmontering som sparar kortyta och underlättar termiskt gränssnitt.

Hur hanterar enheten höga kontinuerliga strömmar?

Transistorn stöder en kontinuerlig dräneringsström på 161 A, vilket möjliggör kontinuerlig högströmsomkoppling när den monteras med lämplig värmehantering.

Vilka standarder och materialbegränsningar gäller för komponenten?

Enheten uppfyller RoHS-kraven och följer IEC 61249-2-21 materialspecifikationer.

Vad är den maximala spänningsförmågan mellan drain och source?

Den maximala tillåtna drain-källspänningen är 40 V, vilket definierar dess säkra driftspänningsgräns.

Vilken kanalkonfiguration använder transistorn?

Den använder en N-kanalkonfiguration som är lämplig för låg-sidiga eller synkrona omkopplingstopologier.