Infineon N Kanal, MOSFET, 119 A 40 V N, 8 Ben, TDSON, OptiMOS

RS-artikelnummer:: 218-2975
Tillv. art.nr:: BSC026N04LSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 119 A 40 V N, 8 Ben, TDSON, OptiMOS

Antal (15 enheter, i en förpackning med 15)*

92,29 kr

(exkl. moms)

115,37 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 4 620 enhet(er) från den 28 september 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
15 +	6,153 kr	92,30 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 218-2975
Tillv. art.nr:: BSC026N04LSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	119A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Kapseltyp	TDSON
	Serie	OptiMOS
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	2.6mΩ
	Kanalläge	N
	Maximal effektförlust Pd	63W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	45nC
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.2mm
	Bredd	6.1mm
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	5.35mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 119A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Kapseltyp TDSON
	Serie OptiMOS
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 2.6mΩ
	Kanalläge N
	Maximal effektförlust Pd 63W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 45nC
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.2mm
	Bredd 6.1mm
	Standarder/godkännanden No
	Längd 5.35mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - BSC026N04LSATMA1

Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 40 V maximal drain-källspänning, 119 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSC026N04LSATMA1

Denna MOSFET är en N-kanalstransistor med hög strömstyrka som är utformad för strömomkoppling i ytmonterade system, vilket ger kontrollerad ledning för DC-DC-omvandling och liknande strömhanteringsuppgifter inom breda driftsförhållanden.

Funktioner och fördelar:

• Maximal drain-källspänning stöder 40 V-systemdrift
• Mycket låg påslagningsresistans minskar ledningsförluster på 2.6 mΩ
• Kontinuerlig drain-strömklassning möjliggör hantering av 119 A kontinuerlig belastning
• Typisk grindladdning på 45 nC minimerar omkopplingsenergi och fördröjning
• Effektförlustkapacitet möjliggör 63 W termisk hantering under drift
• Gate-source-tålighet upp till 20 V för robust drivmarginal

Användningsområden

• Lämplig för högströms-DC-DC-omvandlare i nätaggregat
• Idealisk för omkoppling av steg i fordonskraftmoduler
• Används för halvbroar för motordrivare som kräver låg ledningsförlust
• Kan användas för högeffektiv synkronlikriktelse
• Lämplig för kompakta ytmonterade strömförsörjningsenheter

Inom vilket temperaturintervall kan den användas på ett tillförlitligt sätt?

Den är specificerad för att fungera mellan −55 °C och 150 °C för utökade termiska marginaler.

Vilket paket och vilken monteringsmetod används för kompakta konstruktioner?

Den levereras i ett 8-stifts TDSON-paket avsett för ytmontering.

Hur påverkar dess framåtvänd spänning effektstegskonstruktionen?

Framspänningen på 1 V bör beaktas vid beräkning av ledningsförluster och val av grinddrivarnivåer.

Vilken kanal och vilket ledningsläge använder enheten?

Den använder en N-typ-kanal som drivs i förstärkningsläge för standard-MOSFET-omkopplingsbeteende.