Infineon N Kanal, MOSFET, 119 A 40 V N, 8 Ben, TDSON, OptiMOS

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 15 enheter)*

92,295 kr

(exkl. moms)

115,365 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 620 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
15 +6,153 kr92,30 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
218-2975
Tillv. art.nr:
BSC026N04LSATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

119A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

TDSON

Serie

OptiMOS

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

2.6mΩ

Kanalläge

N

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

45nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

63W

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.2mm

Längd

5.35mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

6.1mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon OptiMOSTM-serien 40 V N-kanals effekt-MOSFET. OptiMOSTM 40 V är ett perfekt val för synkron likriktering i switchade nätaggregat (SMPS) som de som finns i servrar och stationära datorer. Dessutom kan dessa enheter användas för ett brett spektrum av industriella tillämpningar, inklusive motorstyrning och snabbväxlande DC-DC-omvandlare.

100 % avalanche-testade

Överlägsen värmebeständighet

Blyfri plätering

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.