Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V, TO-252, HEXFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 258-0632
- Tillv. art.nr:
- AUIRFR8403TRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
35 118,00 kr
(exkl. moms)
43 896,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 07 augusti 2028
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 11,706 kr | 35 118,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-0632
- Tillv. art.nr:
- AUIRFR8403TRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.1mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 66nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 99W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.1mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 66nC | ||
Maximal effektförlust Pd 99W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons speciellt utformad för fordonstillämpningar, denna HEXFET-effekt-MOSFET använder de senaste bearbetningsteknikerna för att uppnå extremt låg påslagningsresistans per kiselarea. Ytterligare funktioner i denna design är en kopplingstemperatur på 175 °C, snabb omkopplingshastighet och förbättrad repetitiv avalanche-klassning. Dessa funktioner kombinerar för att göra denna design till en extremt effektiv och tillförlitlig enhet för användning i fordonstillämpningar och ett brett utbud av andra tillämpningar.
Avancerad processteknik
Nytt ultralåg påslagningsresistans
175°C Driftstemperatur
Snabbväxlande
Repetitiv avalanche tillåten upp till Tjmax
Blyfri, RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V, TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9.3 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 62 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 200 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 55 V, TO-252, HEXFET