Infineon N Kanal, MOSFET, 5 A 200 V, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 258-3982
- Distrelec artikelnummer:
- 304-40-536
- Tillv. art.nr:
- IRFR220NTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
66,75 kr
(exkl. moms)
83,45 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 990 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 13,35 kr | 66,75 kr |
| 50 - 120 | 12,006 kr | 60,03 kr |
| 125 - 245 | 11,20 kr | 56,00 kr |
| 250 - 495 | 10,372 kr | 51,86 kr |
| 500 + | 9,632 kr | 48,16 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3982
- Distrelec artikelnummer:
- 304-40-536
- Tillv. art.nr:
- IRFR220NTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 600mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 43W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 600mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 43W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET-familj av effekt-MOSFET:er utnyttjar beprövade kiselprocesser och erbjuder konstruktörer en bred portfölj av komponenter för olika applikationer som likströmsmotorer, växelriktare, SMPS, belysning, lastbrytare samt batteridrivna applikationer. Enheterna finns tillgängliga i en mängd olika ytmonterade och genomgående hål med fotavtryck enligt industristandard för att underlätta konstruktionen.
Plan cellstruktur för bred SOA
Ökad robusthet
Bred tillgänglighet från distributionspartners
Kvalifikationsnivå enligt branschstandard
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 200 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 200 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 55 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 61 A 55 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 55 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 100 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 85 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 150 V, TO-252, HEXFET