Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 99 A 60 V, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9458
- Tillv. art.nr:
- IRLR3636TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
142,58 kr
(exkl. moms)
178,225 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 790 enhet(er) från den 12 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 28,516 kr | 142,58 kr |
| 50 - 120 | 24,82 kr | 124,10 kr |
| 125 - 245 | 23,116 kr | 115,58 kr |
| 250 - 495 | 21,594 kr | 107,97 kr |
| 500 + | 15,68 kr | 78,40 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9458
- Tillv. art.nr:
- IRLR3636TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 99A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.3mΩ | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 33nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 143W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 99A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.3mΩ | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 33nC | ||
Maximal effektförlust Pd 143W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IRLR-serie är en 60 V-effektmosfet med en n-kanal i en D-Pak-kapsel. Den kraftfulla IRFET-familjen är optimerad för lågt RDS (on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, inverterare och likströmsomvandlare.
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Ytmonterad förpackning enligt industristandard
Kisel optimerat för applikationer som växlar under 100 kHz
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 99 A 60 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 99 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 60 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 43 A 60 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 79 A 60 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 200 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 55 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 200 V, TO-252, HEXFET