Infineon N Kanal, MOSFET, 110 A 60 V, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-5806
- Tillv. art.nr:
- IRFR7540TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 162,40 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
134,96 kr
(exkl. moms)
168,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 465 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 26,992 kr | 134,96 kr | - |
| 50 - 120 | 23,744 kr | 118,72 kr | 162,40 kr |
| 125 - 245 | 22,356 kr | 111,78 kr | 579,50 kr |
| 250 - 495 | 21,46 kr | 107,30 kr | 1 383,00 kr |
| 500 + | 20,876 kr | 104,38 kr | 3 058,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-5806
- Tillv. art.nr:
- IRFR7540TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 110A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.8mΩ | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 86nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 140W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 110A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.8mΩ | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 86nC | ||
Maximal effektförlust Pd 140W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons HEXFET power MOSFET har förbättrad robusthet för grind, lavin och dynamisk dV/dt samt fullt karakteriserad kapacitans och lavin SOA.
Förbättrad kapacitet för dioden i kroppen för dV/dt och dI/dt
Blyfri, RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 110 A 60 V, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 16 A 110 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 99 A 60 V, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 43 A 60 V, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 79 A 60 V, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 110 A 60 V, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 17 A 55 V, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 89 A 55 V, TO-252, HEXFET
