Infineon N Kanal, MOSFET, 99 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

RS-artikelnummer:: 124-8776
Tillv. art.nr:: IRLR3636TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 99 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

14 758,00 kr

(exkl. moms)

18 448,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 02 april 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2000 +	7,379 kr	14 758,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 124-8776
Tillv. art.nr:: IRLR3636TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	99A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Kapseltyp	TO-252
	Serie	HEXFET
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	8.3mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	143W
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	49nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-16, +16V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Bredd	6.22mm
	Längd	6.73mm
	Höjd	2.39mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 99A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Kapseltyp TO-252
	Serie HEXFET
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 8.3mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 143W
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 49nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -16, +16V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Bredd 6.22mm
	Längd 6.73mm
	Höjd 2.39mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: CN

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 60 V maximal drain-källspänning, 99 A maximal kontinuerlig drain-ström – IRLR3636TRPBF

Denna n-kanalförbättrings-MOSFET från Infineon är en effekttransistor som är utformad för högströmsomkoppling i ytmonterade kretsar. Den fungerar över ett brett temperaturområde och passar tillämpningar som kräver robust hantering av dräneringsspänning och betydande kontinuerlig strömkapacitet. Enheten har ett TO-252-paket för kompakt montering på kortnivå och en grindklassning som stöder typiska grinddrivarspänningar.

Funktioner och fördelar:

• Maximal kontinuerlig dräneringsström 99 A möjliggör högströmsväxling
• Maximal drain-källspänning 60 V stöder medelspänningssystem
• Mycket låg Rds(on) på 8.3 mΩ minskar ledningsförlusterna
• Maximal effektförlust på 143 W möjliggör kontinuerlig drift med hög effekt
• Typisk grindladdning på 49 nC möjliggör förutsägbar omkopplingsdynamik
• Forward-spänning 1,3 V minimerar spänningsfall under belastning

Användningsområden

• Idealisk för motorstyrsteg i elektriska manöverdon
• Lämplig för DC/DC-omvandlare och regulatorer med hög strömstyrka
• Används med batterihantering och strömfördelningsmoduler
• Kan användas för synkronlikriktelse i nätaggregat
• Lämplig för industriell omkoppling i drivkretsar med variabel hastighet

Vilka gränsspänningsgränser måste iakttas under konstruktionen?

Enheten får inte drivas utöver en gate-source-klassning på 16 V för att undvika gate-oxidbelastning och säkerställa tillförlitlig omkoppling.

Vilka termiska förhållanden tål den under drift?

Transistorn är specifik för att fungera mellan -55 °C och 175 °C, vilket möjliggör användning i krävande termiska miljöer med lämplig termisk hantering.

Hur påverkar förpackningen kortets layout och montering?

Ytmonteringsformatet TO-252 ger ett kompakt fotavtryck och värmeväg till kretskortet, vilket underlättar anslutningar med låg induktans och effektiv värmeöverföring.

Hur påverkar dess kanaltyp kopplingsbeteendet?

Att vara en N-kanalförstärkningsenhet innebär att den kräver en positiv grinddrivning i förhållande till källan för att slå på, vilket ger låga Rds(on) när den drivs på lämpligt sätt.