Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 49 A 20 V, PQFN, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9377
- Tillv. art.nr:
- IRFH6200TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
86,55 kr
(exkl. moms)
108,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 865 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 17,31 kr | 86,55 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9377
- Tillv. art.nr:
- IRFH6200TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 49A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 15mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 155nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 250W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 49A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 15mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 155nC | ||
Maximal effektförlust Pd 250W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IRFH-serie är en 20 V enkel n-kanal stark IRFET-effektmosfet i en PQFN 5x6-kapsel. Den kraftfulla IRFET-familjen är optimerad för lågt RDS (on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, inverterare och likströmsomvandlare.
Ytmonterat kraftpaket enligt industristandard
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Kisel optimerat för applikationer som växlar under 100 kHz
Mjukare diodkropp jämfört med tidigare kiselgeneration
Bred portfölj tillgänglig
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 49 A 20 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 85 A 60 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 30 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 265 A 40 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 159 A 40 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 117 A 40 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.2 A 100 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 20 V, PQFN, HEXFET