Infineon N Kanal, MOSFET, 95 A 60 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9364
- Tillv. art.nr:
- IRFB7545PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
456,05 kr
(exkl. moms)
570,05 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 550 enhet(er) från den 02 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 9,121 kr | 456,05 kr |
| 100 - 200 | 7,114 kr | 355,70 kr |
| 250 - 450 | 6,657 kr | 332,85 kr |
| 500 - 1200 | 6,20 kr | 310,00 kr |
| 1250 + | 5,748 kr | 287,40 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9364
- Tillv. art.nr:
- IRFB7545PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 95A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.90mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | +175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 95A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.90mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur +175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 60 V maximal drain-source-spänning, 95 A maximal kontinuerlig drain-ström – IRFB7545PBF
Denna MOSFET är en N-kanals effekttransistor med genomgående hål som är utformad för omkopplings- och högströmstillämpningar. Den fungerar i förstärkningsläge och passar miljöer som kräver ett brett arbetstemperaturområde. Enheten levereras i en TO-220-förpackning och uppfyller RoHS-kraven, vilket gör den lämplig för montering där blyfri överensstämmelse krävs.
Funktioner och fördelar:
• 5,9 mΩ Rds(on) möjliggör lägre ledningsförluster
• 60 V Vds möjliggör medelspänningsomkopplingsförmåga
• 95 A kontinuerlig dräneringsström som stöder höga strömbelastningar
• Klassificering -55 °C till 175 °C för utökad temperaturdrift
• 1,3 V ledningsspänningsreducerande diodfall
• 60 V Vds möjliggör medelspänningsomkopplingsförmåga
• 95 A kontinuerlig dräneringsström som stöder höga strömbelastningar
• Klassificering -55 °C till 175 °C för utökad temperaturdrift
• 1,3 V ledningsspänningsreducerande diodfall
Användningsområden
• Lämplig för strömförsörjningar som kräver högströmsomkoppling
• Idealisk för motorstyrningssteg i industriella styrenheter
• Används med värmehantering för kretsar med förhöjd temperatur
• Kan användas för byte av effekttransistorer för allmänna ändamål
• Används för genomgående hålprototyper och hållbara monteringar
• Idealisk för motorstyrningssteg i industriella styrenheter
• Används med värmehantering för kretsar med förhöjd temperatur
• Kan användas för byte av effekttransistorer för allmänna ändamål
• Används för genomgående hålprototyper och hållbara monteringar
Vilket paket och monteringsmetod använder den?
Den levereras i en TO-220-kapsel avsedd för montering med genomgående hål.
Vilken kanaltyp och driftläge erbjuds?
Enheten är en N-kanalstransistor som drivs i förstärkningsläge.
Är den lämplig för fordonsstandardkrav?
Det är inte specificerat att uppfylla klassificeringar enligt fordonsstandard.
Vilken efterlevnad av miljödirektivet ingår?
Komponenten uppfyller RoHS-kompatibilitet för begränsade ämnen.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 95 A 60 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 95 A 40 V, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 46 A 250 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 76 A 200 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 43 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 270 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET