Infineon N Kanal, MOSFET, 95 A 60 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9364
- Tillv. art.nr:
- IRFB7545PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
456,05 kr
(exkl. moms)
570,05 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 800 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 9,121 kr | 456,05 kr |
| 100 - 200 | 7,114 kr | 355,70 kr |
| 250 - 450 | 6,657 kr | 332,85 kr |
| 500 - 1200 | 6,20 kr | 310,00 kr |
| 1250 + | 5,748 kr | 287,40 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9364
- Tillv. art.nr:
- IRFB7545PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 95A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.90mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | +175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 95A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.90mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur +175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IRFB-serie är en 60 V enkel n-kanal stark IRFET-effektmosfet i en TO 220-kapsel. Den starka IRFET-effekt-mosfet-familjen är optimerad för låg RDS(on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet.
Industriellt standardpaket med genomgående hål
Högströmsklassning
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Kisel optimerat för applikationer som växlar under 100 kHz
Mjukare diodkropp jämfört med tidigare kiselgeneration
Bred portfölj tillgänglig
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 95 A 60 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 95 A 40 V, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 46 A 250 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 76 A 200 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 43 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 270 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET