Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9359
- Tillv. art.nr:
- IRFB7440PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
588,10 kr
(exkl. moms)
735,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 150 enhet(er) från den 27 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 11,762 kr | 588,10 kr |
| 100 - 200 | 9,41 kr | 470,50 kr |
| 250 - 450 | 8,821 kr | 441,05 kr |
| 500 - 950 | 8,234 kr | 411,70 kr |
| 1000 + | 7,645 kr | 382,25 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9359
- Tillv. art.nr:
- IRFB7440PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.50mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | +175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.50mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur +175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 40 V maximal drain-source-spänning, 120 A maximal kontinuerlig drain-ström – IRFB7440PBF
Denna MOSFET är en N-kanalsomkopplingsenhet med genomgående hål som är utformad för tillämpningar med hög strömstyrka. Den fungerar i ett brett temperaturområde och uppfyller RoHS-miljöbestämmelser. Kapseln underlättar montering på kylflänsytor för hantering av effektförlust och diskret montering i konventionella kretsar.
Funktioner och fördelar:
• 2,50 mΩ låg Rds(on) för minskade ledningsförluster
• 40 V drain-source-gräns som möjliggör medelspänningssystem
• 120 A kontinuerlig strömhantering för långvariga belastningar
• Förbättringskanal för enkel gate-drift
• 1,3 V framåtvänd spänning som stöder effektiv kroppsdiodledning
• 40 V drain-source-gräns som möjliggör medelspänningssystem
• 120 A kontinuerlig strömhantering för långvariga belastningar
• Förbättringskanal för enkel gate-drift
• 1,3 V framåtvänd spänning som stöder effektiv kroppsdiodledning
Användningsområden
• Lämplig för användning av högströms-MOSFET i strömförsörjningar
• Idealisk för MOSFET:er i motordrivkretsar (40 V, 120 A)
• Används med TO‐220 genomgående hål N‐kanal MOSFET 40 V-layouter
• Kan användas som ersättning för HEXFET 2.5 mΩ MOSFET med låg Rds(on)
• Används i kretsar som kräver högtemperatur-MOSFET-drift (-55 °C till 175 °C)
• Idealisk för MOSFET:er i motordrivkretsar (40 V, 120 A)
• Används med TO‐220 genomgående hål N‐kanal MOSFET 40 V-layouter
• Kan användas som ersättning för HEXFET 2.5 mΩ MOSFET med låg Rds(on)
• Används i kretsar som kräver högtemperatur-MOSFET-drift (-55 °C till 175 °C)
Inom vilket temperaturintervall kan den användas på ett tillförlitligt sätt?
Den fungerar i temperaturer från -55 °C till 175 °C och täcker lågtemperaturstarter och högtemperaturdrift.
Vilken monteringsmetod krävs för värmehantering?
Den levereras i en TO‐220-förpackning med genomgående hål avsedd för montering på externa kylelement eller chassi.
Vilken typ av kanal och switchläge använder den?
Enheten är en N-kanalförstärkningstransistor som kräver en gate-source-enhet för att leda.
Är den lämplig för fordonskvalificerade installationer?
Det är inte specificerat att uppfylla fordonsstandarder och bör utvärderas mot fordonsspecifika krav.
Uppfyller den kraven i miljödirektivet?
Den är RoHS-kompatibel, vilket indikerar begränsning av vissa farliga ämnen.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 95 A 60 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 46 A 250 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 76 A 200 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 43 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 270 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET