Infineon N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V Förbättring, TO-220, HEXFET

Denna MOSFET är en effekttransistor med genomgående hål som är utformad för omkoppling och strömomvandling i krävande miljöer. Den fungerar som en förstärkningsläge N-kanal-enhet i en TO-220-kapsel, lämplig för installationer som kräver en robust dränering-källspänning och betydande kontinuerlig strömhantering. Komponenten uppfyller RoHS-kraven och är klassad för ett brett temperaturområde som är lämpligt för industriella förhållanden.

• 150 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• 35 A kontinuerlig ström med stöd för högströmsnätaggregat
• Låg Rds(on) på 39 mΩ minimerar ledningsförluster under drift
• Arbetsområde -55 °C till +175 °C möjliggör användning i extrema temperaturer
• 1,3 V framåtriktad grindspänning minskar drivkraven för omkoppling

• Lämplig för motordrivningseffektsteg
• Idealisk för switchade nätaggregat med hög strömstyrka
• Används med diskreta strömstyrningsmoduler i industriella system
• Kan användas för DC-omkopplingsuppgifter med hög spänning

Den levereras i en TO-220-förpackning med genomgående hål som är lämplig för säker lödmontering.

N-kanalkonfigurationen kräver positiv grindstyrning i förhållande till källan för ledning.

Det är inte specificerat att överensstämma med standarder för fordonsindustrin.

Enheten uppfyller RoHS-direktiven som begränsar vissa farliga ämnen.