Infineon N Kanal, MOSFET, 46 A 250 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9347
- Tillv. art.nr:
- IRFB4229PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
62,61 kr
(exkl. moms)
78,26 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 344 enhet(er) från den 02 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 31,305 kr | 62,61 kr |
| 20 - 48 | 28,17 kr | 56,34 kr |
| 50 - 98 | 26,265 kr | 52,53 kr |
| 100 - 198 | 24,47 kr | 48,94 kr |
| 200 + | 22,57 kr | 45,14 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9347
- Tillv. art.nr:
- IRFB4229PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 46A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 250V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 46mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 10V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 72nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 46A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 250V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Maximal drain-källresistans Rds 46mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 10V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 72nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 250 V maximal drain-source-spänning, 46 A maximal kontinuerlig drain-ström – IRFB4229PBF
Denna MOSFET är en N-kanals effekttransistor med genomgående hål som är utformad för omkoppling och förstärkning i högspänningskretsar. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är lämplig för tillämpningar som kräver robusta gate-drive-egenskaper och måttlig påslagningsresistans i en TO-220-kapsel.
Funktioner och fördelar:
• 46 A kontinuerlig ström ger hög belastningsomkopplingsförmåga
• 46 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster i strömvägar
• 250 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsdrift
• 72 nC typisk grindladdning stöder förutsägbart omkopplingsbeteende
• 10 V maximal gate-källspänning möjliggör standard gate-drivnivåer
• 46 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster i strömvägar
• 250 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsdrift
• 72 nC typisk grindladdning stöder förutsägbart omkopplingsbeteende
• 10 V maximal gate-källspänning möjliggör standard gate-drivnivåer
Användningsområden
• Används för högspänningsomvandlingsstegen
• Lämplig för diskreta omkopplingselement för motordrivning
• Idealisk för generella strömförsörjningskort med genomgående hål
• Kan användas för industriella omkopplingsmoduler
• Används med värmehantering i system med förhöjd temperatur
• Lämplig för diskreta omkopplingselement för motordrivning
• Idealisk för generella strömförsörjningskort med genomgående hål
• Kan användas för industriella omkopplingsmoduler
• Används med värmehantering i system med förhöjd temperatur
Vilken typ av förpackning medföljer för bekväm montering?
Den erbjuds i en TO-220-förpackning med genomgående hål för enkel kretskortsfäste och värmeavledare.
Vilket temperaturområde tål den under drift?
Enheten är klassad för drift från -40 °C upp till 175 °C.
Vilka begränsningar för gate-drivning bör observeras?
Gate-källspänningen får inte överstiga 10 V för att undvika att skada gate-oxiden.
Är denna enhet lämplig för användning enligt fordonsstandard?
Det är inte specificerat att uppfylla fordonsstandarder och bör inte antas vara av fordonskvalitet.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 46 A 250 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 60 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 95 A 60 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 76 A 200 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 43 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 270 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET