Infineon N Kanal, MOSFET, 124 A 100 V Förbättring, DirectFET, HEXFET

Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningsenhet med genomgående hål som är utformad för högströmsomkoppling i krävande elektriska system. Den fungerar i ett brett temperaturområde som är lämpligt för industriella förhållanden och uppfyller RoHS-miljöbegränsningar. Komponenten levereras i ett DirectFET-paket avsett för tillämpningar som kräver effektiv värmehantering och integrering av kompakta kort.

• 3,50 mΩ RDS(on) minskar ledningsförluster för högre effektivitet
• 100 V VDS möjliggör drift i topologier med medelhög spänning
• 124 A kontinuerlig dräneringsström med stöd för hög strömförsörjning
• VF 1,3 V framspänning ger exakt gate-to-source-styrning
• Temperaturområde -55 °C till +175 °C säkerställer utökad värmetolerans

• Lämplig för strömförsörjning och motorstyrningssystem
• Används med högströms DC-strömfördelningsrack
• Idealisk för industriella omvandlar- och växelriktare
• Kan användas för batterihantering och laddningsreglering

Den använder ett DirectFET-paket för att underlätta låg termisk resistans och effektiv värmeöverföring.

Enheten är utformad för genomgående hålmontering för att ge en robust mekanisk och termisk anslutning.

Det är inte specificerat som en fordonsstandarddel och bör därför utvärderas mot fordonsspecifika krav.

Delen är en N-kanal-enhet som drivs i förstärkningsläge, lämplig för vanliga high-side- eller low-side-omkopplare.

Den är RoHS-kompatibel, vilket indikerar begränsning av vissa farliga ämnen.