Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 124 A 100 V, DirectFET, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9317
- Tillv. art.nr:
- IRF7769L1TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 4000 enheter)*
109 708,00 kr
(exkl. moms)
137 136,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 27 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | 27,427 kr | 109 708,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9317
- Tillv. art.nr:
- IRF7769L1TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 124A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | DirectFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.7mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 124A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp DirectFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.7mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IRF-serie är en 100 V enkel n-kanal stark IRFET-effektmosfet i ett direkt FET L8-paket. Den kraftfulla IRFET-familjen är optimerad för lågt RDS (on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, inverterare och likströmsomvandlare.
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Högströmsklassning
Dubbel sidkylningskapacitet
Låg kapslingshöjd på 0,7 mm
Låg parasitisk (1 till 2 nH) induktanspaket
100 % blyfri (inget RoHS-undantag)
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 124 A 100 V, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 375 A 60 V Förbättring, 15 Ben, DirectFET, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 217 A 40 V, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 375 A 40 V, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, -160 A -30 V, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 75 V, DirectFET, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V, 7 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 28 A 150 V, 2 Ben, DirectFET, HEXFET