Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 217 A 40 V, DirectFET, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9314
- Tillv. art.nr:
- IRF7480MTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
72,35 kr
(exkl. moms)
90,438 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 754 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 36,175 kr | 72,35 kr |
| 20 - 48 | 32,535 kr | 65,07 kr |
| 50 - 98 | 30,35 kr | 60,70 kr |
| 100 - 198 | 28,225 kr | 56,45 kr |
| 200 + | 26,32 kr | 52,64 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9314
- Tillv. art.nr:
- IRF7480MTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 217A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | DirectFET | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.2mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 123nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 96W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 217A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp DirectFET | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.2mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 123nC | ||
Maximal effektförlust Pd 96W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IRF-serie är en 40 V enkel n-kanal stark IRFET-effektmosfet i en direkt FET ME-paket. Den kraftfulla IRFET-familjen är optimerad för lågt RDS (on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, inverterare och likströmsomvandlare. Slutanvändningar inkluderar sladdlösa el- och trädgårdsverktyg, lätta elfordon och e-cyklar som kräver en hög nivå av robusthet och energieffektivitet.
Dubbel sidkylningskapacitet
Låg kapslingshöjd på 0,7 mm
Låg parasitisk (1 till 2 nH) induktanspaket
100 % blyfri (ingen ROHS-undantag)
Kisel optimerat för applikationer som växlar under 100 kHz
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 217 A 40 V, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 375 A 40 V, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 375 A 60 V Förbättring, 15 Ben, DirectFET, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 124 A 100 V, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, -160 A -30 V, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 75 V, DirectFET, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V, 7 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 28 A 150 V, 2 Ben, DirectFET, HEXFET