Infineon Typ N Kanal, MOSFET, -7.4 A -12 V, 8 Ben, SO-8, HEXFET

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

19,75 kr

(exkl. moms)

24,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 5 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +3,95 kr19,75 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
257-9308
Tillv. art.nr:
IRF7329TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

-7.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

-12V

Kapseltyp

SO-8

Serie

HEXFET

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

199mΩ

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

2W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

8.1nC

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Höjd

1.75mm

Längd

5mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons IRF-serie är -12 V dubbel p-kanal HEXFET-effektmosfet i en SO 8-kapsel.

RoHS-märkt

Låg RDS (på)

Dubbel p-kanal MOSFET

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.