Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-5887
- Tillv. art.nr:
- IRFH5301TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
117,60 kr
(exkl. moms)
147,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 630 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 23,52 kr | 117,60 kr |
| 50 - 120 | 20,966 kr | 104,83 kr |
| 125 - 245 | 19,802 kr | 99,01 kr |
| 250 - 495 | 14,896 kr | 74,48 kr |
| 500 + | 14,516 kr | 72,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-5887
- Tillv. art.nr:
- IRFH5301TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.85mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 37nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6mm | |
| Höjd | 0.9mm | |
| Bredd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.85mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 37nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6mm | ||
Höjd 0.9mm | ||
Bredd 5mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons strongIRFET-effekt-MOSFET-familj är optimerad för låg RDS och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, växelriktare och DC-DC-omvandlare.
Ytmonterat kraftpaket enligt industristandard
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
<
Mjukare kroppsdiod jämfört med tidigare kiselgeneration
Bred portfölj tillgänglig
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 30 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.6 A 30 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 280 A 30 V, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, -5.1 A -30 V, 6 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 82 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET