Infineon N Kanal, MOSFET, 42 A 85 V, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-5841
- Distrelec artikelnummer:
- 304-40-537
- Tillv. art.nr:
- IRFR2407TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
108,86 kr
(exkl. moms)
136,08 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 440 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 21,772 kr | 108,86 kr |
| 50 - 120 | 17,83 kr | 89,15 kr |
| 125 - 245 | 16,80 kr | 84,00 kr |
| 250 - 495 | 15,478 kr | 77,39 kr |
| 500 + | 9,812 kr | 49,06 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-5841
- Distrelec artikelnummer:
- 304-40-537
- Tillv. art.nr:
- IRFR2407TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 42A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 85V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 26mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 74nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 42A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 85V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 26mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 74nC | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IR MOSFET-familj av effekt-MOSFET:er utnyttjar beprövade kiselprocesser och erbjuder konstruktörer en bred portfölj av komponenter för olika applikationer som likströmsmotorer, växelriktare, SMPS, belysning, lastbrytare samt batteridrivna applikationer. Enheterna finns tillgängliga i en mängd olika ytmonterade och genomgående höljen med fotavtryck enligt industristandard för att underlätta konstruktionen.
Plan cellstruktur för bred SOA
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Kisel optimerat för applikationer som växlar nedan <100kHz
Ytmonterad förpackning enligt industristandard
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 85 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 42 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 200 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 55 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 200 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 61 A 55 V, TO-252, HEXFET