Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 42 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 220-7490
- Tillv. art.nr:
- IRFR1010ZTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
127,90 kr
(exkl. moms)
159,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 570 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 12,79 kr | 127,90 kr |
| 100 - 240 | 12,152 kr | 121,52 kr |
| 250 - 490 | 11,637 kr | 116,37 kr |
| 500 - 990 | 11,133 kr | 111,33 kr |
| 1000 + | 10,36 kr | 103,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7490
- Tillv. art.nr:
- IRFR1010ZTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 42A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 366W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 460nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 15.87mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 20.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 42A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 366W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 460nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 15.87mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 20.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon OptiMOS N-channel power MOSFETs are developed to increase efficiency, power density and cost-effectiveness. Designed for high performance applications and optimized for high switching frequency, OptiMOS products convince with the industry's best figure of merit. The OptiMOS power MOSFET portfolio, now complemented by Strong IRFET, creates a truly powerful combination. Benefit from a perfect match of robust and excellent price/performance of Strong IRFET MOSFETs and best-in-class technology of OptiMOS MOSFETs. Both product families answer to the highest quality standards and performance demands. The joint portfolio, covering voltages from 12V up to 300V MOSFETs, can address a broad range of needs from low to high switching frequencies such as SMPS, battery powered applications, motor control and drives, inverters, and computing.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Normal level : Optimized for 10 V gate drive voltage
Industry standard surface-mount power package
Capable of being wave-soldered
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 42 A 55 V Förbättring TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 42 A 55 V Förbättring TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 62 A 55 V Förbättring TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 42 A 40 V Förbättring TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 59 A 55 V Förbättring TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal -11 A -55 V Förbättring TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 11 A 55 V Förbättring TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 56 A 55 V Förbättring TO-252, HEXFET