Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A 2.2 V, TO-252, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

83,55 kr

(exkl. moms)

104,44 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 780 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 908,355 kr83,55 kr
100 - 2407,952 kr79,52 kr
250 - 4907,594 kr75,94 kr
500 - 9907,269 kr72,69 kr
1000 +4,189 kr41,89 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
257-9288
Tillv. art.nr:
IRF40R207
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

90A

Maximal källspänning för dränering Vds

2.2V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Genomgående hål

Maximal drain-källresistans Rds

4.5mΩ

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineons IRF-serie är en 40 V enkel n-kanal stark IRFET-effektmosfet i en DPAK-kapsel. Den kraftfulla IRFET-familjen är optimerad för lågt RDS (on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, inverterare och likströmsomvandlare.

Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners

Produktkvalificering enligt JEDEC-standard

Ytmonterad förpackning enligt industristandard

Kisel optimerat för applikationer som växlar under 100 kHz

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.