Vishay Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 20 V, 8 Ben, ChipFET
- RS-artikelnummer:
- 256-7373
- Tillv. art.nr:
- SI5513CDC-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (25 enheter, i en förpackning med 25)*
138,65 kr
(exkl. moms)
173,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 30 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 5,546 kr | 138,65 kr |
| 50 - 75 | 5,439 kr | 135,98 kr |
| 100 - 225 | 4,144 kr | 103,60 kr |
| 250 - 975 | 4,059 kr | 101,48 kr |
| 1000 + | 2,522 kr | 63,05 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 256-7373
- Tillv. art.nr:
- SI5513CDC-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | ChipFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4Ω | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P, Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp ChipFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4Ω | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay Semiconductor Mosfet-array N- och P-kanal 20 V 4 A, 3,7 A 3,1 W ytmonterad 1206-8 chipFET halogenfri enligt IEC 61249-2-21-definition.
TrenchFET Power Mosfets
100 % Rg-testad
I enlighet med RoHS-direktivet 2002/95/EG
Relaterade länkar
- Vishay Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 20 V, 8 Ben, ChipFET
- Vishay Typ N, Typ N, Typ P, Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 20 V, PowerPAK ChipFET
- Vishay Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 30 V, 1206-8 ChipFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 9.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, Si5419DU
- Vishay N Kanal, MOSFET, 6 A 30 V, 8 Ben, ChipFET
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 3.8 A 20 V Förbättring, 8 Ben, ChipFET, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 25 A 40 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 6 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, SI5936DU
