Vishay Typ P Kanal, MOSFET, -6.4 A -30 V, 6 Ben, TSOP-6, SI3483DDV

RS-artikelnummer:: 256-7359
Tillv. art.nr:: SI3483DDV-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ P Kanal, MOSFET, -6.4 A -30 V, 6 Ben, TSOP-6, SI3483DDV

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

160,50 kr

(exkl. moms)

200,50 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 2 950 enhet(er) från den 22 september 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
25 +	6,42 kr	160,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 256-7359
Tillv. art.nr:: SI3483DDV-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	-6.4A
	Maximal källspänning för dränering Vds	-30V
	Kapseltyp	TSOP-6
	Serie	SI3483DDV
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	6
	Maximal drain-källresistans Rds	0.0513Ω
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	4.5nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	16V
	Maximal effektförlust Pd	3W
	Framåtriktad spänning Vf	-1.2V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	+150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Höjd	1.1mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -6.4A
	Maximal källspänning för dränering Vds -30V
	Kapseltyp TSOP-6
	Serie SI3483DDV
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 6
	Maximal drain-källresistans Rds 0.0513Ω
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.5nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V
	Maximal effektförlust Pd 3W
	Framåtriktad spänning Vf -1.2V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur +150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Höjd 1.1mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - SI3483DDV-T1-GE3

Vishay SI3483DDV-serien MOSFET, -30 V maximal drain-källspänning, 0,0513 Ω maximalt drain-källresistans - SI3483DDV-T1-GE3

Denna p-kanal MOSFET är en ytmonterad halvledarenhet som är utformad för att styra högsidiga omkopplings- och analoga strömfunktioner i kompakta elektroniska system. Den fungerar med en 30 V-dren-till-källklassning och är avsedd för användning över ett brett omgivningstemperaturområde, vilket gör den lämplig för krävande industri- och automationsmiljöer där kompakt strömomkoppling krävs.

Funktioner och fördelar:

• Låg Rds(on) 0,0513 Ω vilket möjliggör minskade ledningsförluster • Kontinuerlig avtappningsström 6,4 A som stöder måttliga effektbelastningar • Typisk grindladdning 4,5 nC möjliggör snabbare grindväxling • Maximal effektförlust 3 W möjliggör varaktig termisk belastning • Gate-source-motstånd 16 V för toleranta gate-drivmarginaler • Kan användas mellan -55 °C och +150 °C för användning vid höga temperaturer

Användningsområden

• Lämplig för omkoppling av hög-sidad belastning i automationsutrustning • Idealisk för batterihanteringskretsar i bärbara system • Används för analog strömstyrning i industriell elektronik • Kan användas för värmekänslig kräver kompakta SMD-delar • Används med motorstyrningsdrivare som kräver P-kanaltopologi

Vilken kapslingstyp används för kompakta kretskortslayouter?

Den levereras i ett TSOP-6-paket för ytmontering med sex stift för trånga kort.

Hur beter sig enheten vid höga kopplingstemperaturer?

Den är klassad för drift upp till +150 °C, vilket möjliggör kontinuerlig ledning och omkoppling vid förhöjda temperaturer inom specificerade gränser.

Vad är den typiska omkopplingsbelastningsegenskapen att överväga i drivkonstruktionen?

Typisk grindladdning är 4,5 nC, vilket informerar grinddrivenergi- och omkopplingsförlustberäkningar.

Vilka miljögodkännanden eller materialstandarder gäller?

Komponenten överensstämmer med RoHS-materialbegränsningar för överensstämmelse med begränsade ämnen.