Vishay Typ P Kanal, MOSFET, -6.4 A -30 V, 6 Ben, TSOP-6, SI3483DDV

RS-artikelnummer:: 256-7358
Tillv. art.nr:: SI3483DDV-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ P Kanal, MOSFET, -6.4 A -30 V, 6 Ben, TSOP-6, SI3483DDV

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

6 873,00 kr

(exkl. moms)

8 592,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 26 januari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	2,291 kr	6 873,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 256-7358
Tillv. art.nr:: SI3483DDV-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	Typ P
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	-6.4A
	Maximal källspänning för dränering Vds	-30V
	Serie	SI3483DDV
	Kapseltyp	TSOP-6
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	6
	Maximal drain-källresistans Rds	0.0513Ω
	Framåtriktad spänning Vf	-1.2V
	Maximal effektförlust Pd	3W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	16V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	4.5nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	+150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Höjd	1.1mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp Typ P
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -6.4A
	Maximal källspänning för dränering Vds -30V
	Serie SI3483DDV
	Kapseltyp TSOP-6
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 6
	Maximal drain-källresistans Rds 0.0513Ω
	Framåtriktad spänning Vf -1.2V
	Maximal effektförlust Pd 3W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.5nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur +150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Höjd 1.1mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - SI3483DDV-T1-GE3

Vishay SI3483DDV-serien MOSFET, -30 V maximal drain-källspänning, 0,0513 Ω maximalt drain-källresistans - SI3483DDV-T1-GE3

Denna p-kanal MOSFET är en ytmonterad halvledarenhet som är utformad för att styra högsidiga omkopplings- och analoga strömfunktioner i kompakta elektroniska system. Den fungerar med en 30 V-dren-till-källklassning och är avsedd för användning över ett brett omgivningstemperaturområde, vilket gör den lämplig för krävande industri- och automationsmiljöer där kompakt strömomkoppling krävs.

Funktioner och fördelar:

• Låg Rds(on) 0,0513 Ω vilket möjliggör minskade ledningsförluster • Kontinuerlig avtappningsström 6,4 A som stöder måttliga effektbelastningar • Typisk grindladdning 4,5 nC möjliggör snabbare grindväxling • Maximal effektförlust 3 W möjliggör varaktig termisk belastning • Gate-source-motstånd 16 V för toleranta gate-drivmarginaler • Kan användas mellan -55 °C och +150 °C för användning vid höga temperaturer

Användningsområden

• Lämplig för omkoppling av hög-sidad belastning i automationsutrustning • Idealisk för batterihanteringskretsar i bärbara system • Används för analog strömstyrning i industriell elektronik • Kan användas för värmekänslig kräver kompakta SMD-delar • Används med motorstyrningsdrivare som kräver P-kanaltopologi

Vilken kapslingstyp används för kompakta kretskortslayouter?

Den levereras i ett TSOP-6-paket för ytmontering med sex stift för trånga kort.

Hur beter sig enheten vid höga kopplingstemperaturer?

Den är klassad för drift upp till +150 °C, vilket möjliggör kontinuerlig ledning och omkoppling vid förhöjda temperaturer inom specificerade gränser.

Vad är den typiska omkopplingsbelastningsegenskapen att överväga i drivkonstruktionen?

Typisk grindladdning är 4,5 nC, vilket informerar grinddrivenergi- och omkopplingsförlustberäkningar.

Vilka miljögodkännanden eller materialstandarder gäller?

Komponenten överensstämmer med RoHS-materialbegränsningar för överensstämmelse med begränsade ämnen.