Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 12 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, Si3473CDV
- RS-artikelnummer:
- 152-6366
- Tillv. art.nr:
- SI3473CDV-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
171,35 kr
(exkl. moms)
214,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 13 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 6,854 kr | 171,35 kr |
| 250 - 600 | 6,447 kr | 161,18 kr |
| 625 - 1225 | 6,174 kr | 154,35 kr |
| 1250 - 2475 | 5,484 kr | 137,10 kr |
| 2500 + | 5,134 kr | 128,35 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 152-6366
- Tillv. art.nr:
- SI3473CDV-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 12V | |
| Kapseltyp | TSOP | |
| Serie | Si3473CDV | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 36mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 4.2W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 43nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 3.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 12V | ||
Kapseltyp TSOP | ||
Serie Si3473CDV | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 36mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 4.2W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 43nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 3.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Halogenfri
TrenchFET® effekt-MOSFET
PWM-optimerad
ANSÖKNINGAR
Lastväxlare
PA-omkopplare
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 12 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, Si3473CDV
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 12 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, Si3433CDV
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 5.4 A 80 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 2.3 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 8 Ben, TSOP, TrenchFET