Vishay Typ P Kanal, MOSFET, -1.4 A -150 V, 6 Ben, TSOP-6, SI3437DV
- RS-artikelnummer:
- 256-7351
- Tillv. art.nr:
- SI3437DV-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
66,30 kr
(exkl. moms)
82,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 850 enhet(er) från den 22 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 13,26 kr | 66,30 kr |
| 50 - 95 | 11,872 kr | 59,36 kr |
| 100 - 245 | 9,498 kr | 47,49 kr |
| 250 - 995 | 9,252 kr | 46,26 kr |
| 1000 + | 8,02 kr | 40,10 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 256-7351
- Tillv. art.nr:
- SI3437DV-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -1.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -150V | |
| Serie | SI3437DV | |
| Kapseltyp | TSOP-6 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.79Ω | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 3.2W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -1.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -150V | ||
Serie SI3437DV | ||
Kapseltyp TSOP-6 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.79Ω | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 3.2W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Höjd 1.1mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay SI3437DV-serien MOSFET, 150 V drain-källspänning, 0,79 Ω drain-källresistans - SI3437DV-T1-GE3
Denna p-kanal MOSFET är en ytmonterad effekttransistor avsedd för högspänningsomkopplings- och strömhanteringsroller i elektroniska system. Den är utformad för att fungera över ett brett temperaturområde för användning i industriell och kommersiell utrustning, vilket ger grindstyrd ledning för tillämpningar som kräver en positiv grindkällströskel i en negativ drain-miljö.
Funktioner och fördelar:
• Hög spänning möjliggör omkoppling vid 150 V för strömkretsar • Låg påslagningsresistans minimerar ledningsförluster på 0,79 Ω • Kontinuerlig strömkapacitet stöder långvariga laster upp till 1,4 A • Typisk grindladdning 8 nC möjliggör effektiv grindstyrning och snabbare omkoppling • Maximal effektförlust 3,2 W underlättar termisk budgetering i kompakta konstruktioner • Gate-source-motstånd på 20 V möjliggör robust drivmarginal för styrsteg
Användningsområden
• Lämplig för synkroniserad belastningsswitchning i industriella styrenheter • Idealisk för polaritets- och high-side-omkoppling i strömhanteringssystem • Används för batterihantering i extra fordonselektronik • Kan användas för låg till medelströms DC-DC-omvandlarsteg • Används med kompakta ytmonteringsenheter där höjden är kritisk
Vilken termisk miljö kan den tolerera för robust drift?
Enheten är klassad för drift från -55 °C upp till +150 °C, vilket möjliggör användning över breda omgivnings- och förhöjda kopplingsförhållanden.
Hur påverkar förpackningen layouten på kortnivå?
TSOP-6 ytmonteringspaket med sex stift underlättar kompakt placering och värmeledningsvägar för kraftkonstruktioner med litet fotavtryck.
Vad bör beaktas när det gäller krav på grinddrivning?
Grinden måste drivas inom ett intervall av ±20 V i förhållande till källan och den typiska grindladdningen på 8 nC informerar drivstorleken för att uppnå önskad omkopplingshastighet.
Hur fungerar enheten under kontinuerlig elektrisk belastning?
Den är specificerad för en maximal kontinuerlig dräneringsström på 1,4 A och en effektförlust på 3,2 W, som bör användas för att storleka kretskortskopparområdet och eventuell värmeavledning.
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, -1.4 A -150 V, 6 Ben, TSOP-6, SI3437DV
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 7.4 A 40 V, 6 Ben, TSOP-6
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 20 V, 6 Ben, TSOP-6
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 7.9 A 20 V, 6 Ben, TSOP-6
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, Si3433CDV
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, -6.4 A -30 V, 6 Ben, TSOP-6, SI3483DDV
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 12 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, Si3473CDV
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET