DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 254-8646
- Tillv. art.nr:
- DMT15H053SK3-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
113,01 kr
(exkl. moms)
141,26 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 230 enhet(er) från den 18 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 11,301 kr | 113,01 kr |
| 50 - 90 | 11,066 kr | 110,66 kr |
| 100 - 240 | 10,438 kr | 104,38 kr |
| 250 - 990 | 10,226 kr | 102,26 kr |
| 1000 + | 6,989 kr | 69,89 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 254-8646
- Tillv. art.nr:
- DMT15H053SK3-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 12V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 41mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.73W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 2.29mm | |
| Längd | 6.58mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 12V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 41mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.73W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 2.29mm | ||
Längd 6.58mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
DiodeZetex förstärkningsläge MOSFET har utformats för att minimera påslagningsresistansen samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar. Det är tillämpligt i DC-till-DC-omvandlare och strömförsörjning
Låg påslagningsresistans
Låga effektförluster
Låga omkopplingsförluster
Halogen- och antimonfritt
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8 AEC-Q101