Vishay 2 N Kanal Symmetrisk dubbel N-kanal, MOSFET, 159 A 40 V, 8 Ben, PowerPAIR 6 x 5FS
- RS-artikelnummer:
- 252-0298
- Tillv. art.nr:
- SIZF640DT-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
224,45 kr
(exkl. moms)
280,55 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 5 975 enhet(er) från den 28 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 44,89 kr | 224,45 kr |
| 25 - 45 | 42,224 kr | 211,12 kr |
| 50 - 120 | 38,17 kr | 190,85 kr |
| 125 - 245 | 35,908 kr | 179,54 kr |
| 250 + | 33,69 kr | 168,45 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 252-0298
- Tillv. art.nr:
- SIZF640DT-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 159A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PowerPAIR 6 x 5FS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.00137Ω | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 62.5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Transistorkonfiguration | Symmetrisk dubbel N-kanal | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 159A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PowerPAIR 6 x 5FS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.00137Ω | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximal effektförlust Pd 62.5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Transistorkonfiguration Symmetrisk dubbel N-kanal | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay Siliconix MOSFET-produktserien innehåller ett mångsidigt utbud av avancerade tekniker. MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. Fälteffekten innebär att de styrs av spänning. N-kanal MOSFET-transistorer innehåller ytterligare elektroner som är fria att röra sig. De är en mer populär kanaltyp. N-kanal MOSFET-transistorer fungerar när en positiv laddning appliceras på grindterminalen.
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
100 % Rg och UIS-testad
Symmetrisk dubbel N-kanal
Flip chip-teknik med optimal termisk design
MOSFET-form optimerad på hög- och lågsidan
Kombination för 50 % arbetscykel
Relaterade länkar
- Vishay 2 N Kanal Symmetrisk dubbel N-kanal, MOSFET, 159 A 40 V, 8 Ben, PowerPAIR 6 x 5FS
- Vishay N Kanal, MOSFET, 16 A 30 V, PowerPAIR
- Vishay N Kanal, MOSFET, 8.9 A 80 V, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, SIZ260DT
- Vishay 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 125 A 30 V, 12 Ben, PowerPAIR 3 x 3FS, SiZF5300DT
- Vishay 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 258 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET
- Vishay 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 32.5 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 31.8 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 257 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET