Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8.9 A 80 V, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, SIZ260DT

RS-artikelnummer:: 256-7436
Tillv. art.nr:: SIZ260DT-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8.9 A 80 V, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, SIZ260DT

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

19 326,00 kr

(exkl. moms)

24 156,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 21 december 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	6,442 kr	19 326,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 256-7436
Tillv. art.nr:: SIZ260DT-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	Typ N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	8.9A
	Maximal källspänning för dränering Vds	80V
	Kapseltyp	PowerPAIR 3 x 3S
	Serie	SIZ260DT
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.0247Ω
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal effektförlust Pd	33W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	6.3nC
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Bredd	3.3mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Längd	3.3mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp Typ N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.9A
	Maximal källspänning för dränering Vds 80V
	Kapseltyp PowerPAIR 3 x 3S
	Serie SIZ260DT
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.0247Ω
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal effektförlust Pd 33W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.3nC
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Bredd 3.3mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Längd 3.3mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - SIZ260DT-T1-GE3

Vishay SIZ260DT-serien MOSFET, 80 V drain-källspänning, 8,9 A kontinuerlig drain-ström – SIZ260DT-T1-GE3

Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanalstransistor som är utformad för omkoppling och strömhantering i industriella elektroniska system. Den fungerar vid förhöjda temperaturer och stöder måttliga kontinuerliga strömmar, vilket gör den lämplig för kompakta enheter där termisk motståndskraft och spänningshantering krävs.

Funktioner och fördelar:

• 80 V avtappningsklassning möjliggör användning i medelspänningskretsar
• Kontinuerlig ström på 8,9 A möjliggör kontinuerlig lastdrift
• 0,0247 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster
• 6,3 nC typisk grindladdning stöder snabb omkoppling
• 33 W effektförlust möjliggör högre effekthantering
• ±20 V grindtolerans passar olika grinddrivarområden

Användningsområden

• Lämpligt för DC-DC-omvandlare i automationsutrustning
• Idealisk för motor-drivsteg i industriella drivenheter
• Används för strömomkoppling i styrmoduler
• Kan användas för belastningsväxling i batterihantering
• Lämpligt för kompakta SMD-strömförsörjningsenheter i elektriska system

Vilka extrema temperaturer tål den under drift?

Den är klassad för drift ned till -55 °C och upp till +150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med breda termiska fluktuationer.

Hur påverkar förpackningsformen kretskortslayouten?

PowerPAIR 3x3S SMD-paket med åtta stift koncentrerar ström- och signalstift för korta termiska vägar och enkel termopaddkonstruktion.

Är denna enhet lämplig för fordonstillämpningar?

Det är inte specificerat att uppfylla fordonsstandarder, så det bör inte väljas där formellt godkännande av fordonsklass krävs.

Vilka är fördelarna med enhetens antal stift för kretsdesign?

Det åtta-stiftsarrangemanget separerar grind- och källanslutningar från strömvägar, vilket förenklar grinddrivning och termisk hantering.