Vishay N Kanal, MOSFET, 8.9 A 80 V, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, SIZ260DT

RS-artikelnummer:: 256-7436
Tillv. art.nr:: SIZ260DT-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, MOSFET, 8.9 A 80 V, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, SIZ260DT

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

19 326,00 kr

(exkl. moms)

24 156,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 08 februari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	6,442 kr	19 326,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 256-7436
Tillv. art.nr:: SIZ260DT-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	8.9A
	Maximal källspänning för dränering Vds	80V
	Serie	SIZ260DT
	Kapseltyp	PowerPAIR 3 x 3S
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.0247Ω
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	6.3nC
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal effektförlust Pd	33W
	Maximal arbetstemperatur	+150°C
	Längd	3.3mm
	Bredd	3.3mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.9A
	Maximal källspänning för dränering Vds 80V
	Serie SIZ260DT
	Kapseltyp PowerPAIR 3 x 3S
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.0247Ω
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.3nC
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal effektförlust Pd 33W
	Maximal arbetstemperatur +150°C
	Längd 3.3mm
	Bredd 3.3mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - SIZ260DT-T1-GE3

Vishay SIZ260DT-serien MOSFET, 33 W maximal effektförlust, 80 V maximal drain source-spänning - SIZ260DT-T1-GE3

Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanalstransistor som är utformad för strömomkoppling i kompakt elektronik. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är lämplig för tillämpningar som kräver måttlig spänningshantering och hög kontinuerlig strömkapacitet. Enheten är RoHS-kompatibel och levereras i ett kompakt PowerPAIR 3x3S-paket för täta kortlayouter.

Funktioner och fördelar:

• 80 V drain-source-klassning möjliggör medelspänningsswitchning
• Kontinuerlig dräneringsström på 8.9 A stöder kretsar med hög belastning
• 0.0247 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster för effektivitet
• 6.3 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare grinddrivarrespons
• Maximal effektförlust på 33 W hanterar termisk stress
• Gränsen för 20 V gate-source ger en bred gate-drivmarginal

Användningsområden

• Lämplig för omkopplingssteg för DC/DC-omvandlare
• Används för konfigurationer av motordrivna halvbryggor
• Idealisk för strömhantering i telekomutrustning
• Kan användas för synkronlikriktelse i SMPS
• Lämplig för högströmslastswitchar på kompakta kort

Vilket förpackningsfotavtryck ska jag tillåta montering?

Enheten levereras i ett PowerPAIR 3x3S-paket för ytmontering med ett nominellt fotavtryck på 3,3 mm x 3,3 mm och åtta stift, så designplattor måste matcha den kompakta konturen.

Hur beter den sig i extrema temperaturer?

Den är specifik för drift från -55 °C upp till +150 °C och upprätthåller lednings- och omkopplingsegenskaper inom detta temperaturområde.

Vilka begränsningar för grinddrivning måste iakttas?

Den maximala tillåtna gate-källspänningen är 20 V

bör gate-drivkretsar utformas för att hålla Vgs inom denna gräns för att förhindra enhetsbelastning.

Hur bör värmehantering beaktas i konstruktioner?

Med en maximal effektförlust på 33 W bör tillräcklig kretskortskoppar, termiska ledningar eller kylelement integreras för att hålla kopplingstemperaturen inom säkra gränser.