Vishay 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 258 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 228-2943
- Tillv. art.nr:
- SiZF928DT-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
159,04 kr
(exkl. moms)
198,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 12 650 enhet(er) från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 31,808 kr | 159,04 kr |
| 50 - 120 | 29,926 kr | 149,63 kr |
| 125 - 245 | 27,014 kr | 135,07 kr |
| 250 - 495 | 25,424 kr | 127,12 kr |
| 500 + | 23,878 kr | 119,39 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 228-2943
- Tillv. art.nr:
- SiZF928DT-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 258A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | PowerPAIR 6 x 5F | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.00245Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 18.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 74W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 258A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp PowerPAIR 6 x 5F | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.00245Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 18.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 74W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishays dubbla N-kanal 30 V MOSFET.
100 % Rg och UIS-testad
Relaterade länkar
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 258 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 257 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 32.5 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 31.8 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 69.3 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 38 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3FDC, TrenchFET Gen IV
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 48 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET Gen IV
- Vishay Siliconix 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 30 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3, TrenchFET