Vishay 2 Typ N Kanal Symmetrisk dubbel N-kanal, MOSFET, 159 A 40 V, 8 Ben, PowerPAIR 6 x 5FS
- RS-artikelnummer:
- 252-0296
- Tillv. art.nr:
- SIZF640DT-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
58 617,00 kr
(exkl. moms)
73 272,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 19,539 kr | 58 617,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 252-0296
- Tillv. art.nr:
- SIZF640DT-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 159A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PowerPAIR 6 x 5FS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.00137Ω | |
| Maximal effektförlust Pd | 62.5W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 30nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Symmetrisk dubbel N-kanal | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 159A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PowerPAIR 6 x 5FS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.00137Ω | ||
Maximal effektförlust Pd 62.5W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 30nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Symmetrisk dubbel N-kanal | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Vishay siliconix MOSFET product line includes a diverse range of advanced technologies. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The field effect means that they are controlled by voltage. N-Channel MOSFETs contain additional electrons which are free to move around. They are a more popular channel type. N-Channel MOSFETs work when a positive charge is applied to the gate terminal.
TrenchFET Gen IV power MOSFET
100 % Rg and UIS tested
Symmetric dual N-channel
Flip chip technology optimal thermal design
High side and low side MOSFETs form optimized
Combination for 50 % duty cycle
Relaterade länkar
- Vishay 2 Typ N Kanal Symmetrisk dubbel N-kanal, MOSFET, 159 A 40 V, 8 Ben, PowerPAIR 6 x 5FS
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 30 V, PowerPAIR
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8.9 A 80 V, PowerPAIR 3 x 3S
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 125 A 30 V, 12 Ben, PowerPAIR 3 x 3FS, SiZF5300DT
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 32.5 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 69.3 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 31.8 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 257 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET