Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8.9 A 80 V, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, SIZ260DT
- RS-artikelnummer:
- 256-7437
- Tillv. art.nr:
- SIZ260DT-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
108,86 kr
(exkl. moms)
136,075 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 675 enhet(er) från den 17 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 21,772 kr | 108,86 kr |
| 50 - 95 | 21,078 kr | 105,39 kr |
| 100 - 245 | 17,83 kr | 89,15 kr |
| 250 - 995 | 17,45 kr | 87,25 kr |
| 1000 + | 12,812 kr | 64,06 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 256-7437
- Tillv. art.nr:
- SIZ260DT-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | SIZ260DT | |
| Kapseltyp | PowerPAIR 3 x 3S | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0247Ω | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 33W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.3mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 3.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie SIZ260DT | ||
Kapseltyp PowerPAIR 3 x 3S | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0247Ω | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Maximal effektförlust Pd 33W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.3mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 3.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay SIZ260DT-serien MOSFET, 80 V drain-källspänning, 8,9 A kontinuerlig drain-ström – SIZ260DT-T1-GE3
Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanalstransistor som är utformad för omkoppling och strömhantering i industriella elektroniska system. Den fungerar vid förhöjda temperaturer och stöder måttliga kontinuerliga strömmar, vilket gör den lämplig för kompakta enheter där termisk motståndskraft och spänningshantering krävs.
Funktioner och fördelar:
• 80 V avtappningsklassning möjliggör användning i medelspänningskretsar
• Kontinuerlig ström på 8,9 A möjliggör kontinuerlig lastdrift
• 0,0247 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster
• 6,3 nC typisk grindladdning stöder snabb omkoppling
• 33 W effektförlust möjliggör högre effekthantering
• ±20 V grindtolerans passar olika grinddrivarområden
• Kontinuerlig ström på 8,9 A möjliggör kontinuerlig lastdrift
• 0,0247 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster
• 6,3 nC typisk grindladdning stöder snabb omkoppling
• 33 W effektförlust möjliggör högre effekthantering
• ±20 V grindtolerans passar olika grinddrivarområden
Användningsområden
• Lämpligt för DC-DC-omvandlare i automationsutrustning
• Idealisk för motor-drivsteg i industriella drivenheter
• Används för strömomkoppling i styrmoduler
• Kan användas för belastningsväxling i batterihantering
• Lämpligt för kompakta SMD-strömförsörjningsenheter i elektriska system
• Idealisk för motor-drivsteg i industriella drivenheter
• Används för strömomkoppling i styrmoduler
• Kan användas för belastningsväxling i batterihantering
• Lämpligt för kompakta SMD-strömförsörjningsenheter i elektriska system
Vilka extrema temperaturer tål den under drift?
Den är klassad för drift ned till -55 °C och upp till +150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med breda termiska fluktuationer.
Hur påverkar förpackningsformen kretskortslayouten?
PowerPAIR 3x3S SMD-paket med åtta stift koncentrerar ström- och signalstift för korta termiska vägar och enkel termopaddkonstruktion.
Är denna enhet lämplig för fordonstillämpningar?
Det är inte specificerat att uppfylla fordonsstandarder, så det bör inte väljas där formellt godkännande av fordonsklass krävs.
Vilka är fördelarna med enhetens antal stift för kretsdesign?
Det åtta-stiftsarrangemanget separerar grind- och källanslutningar från strömvägar, vilket förenklar grinddrivning och termisk hantering.
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8.9 A 80 V, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, SIZ260DT
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 19.1 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, SiZ270DT
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 32.5 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 31.8 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 69.3 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 48 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET Gen IV
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 30 V, PowerPAIR
- Vishay 2 Typ N Kanal Symmetrisk dubbel N-kanal, MOSFET, 159 A 40 V, 8 Ben, PowerPAIR 6 x 5FS