Vishay N Kanal, MOSFET, 8.9 A 80 V, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, SIZ260DT

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

108,86 kr

(exkl. moms)

136,08 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 675 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4521,772 kr108,86 kr
50 - 9521,078 kr105,39 kr
100 - 24517,83 kr89,15 kr
250 - 99517,45 kr87,25 kr
1000 +12,812 kr64,06 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
256-7437
Tillv. art.nr:
SIZ260DT-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

8.9A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Serie

SIZ260DT

Kapseltyp

PowerPAIR 3 x 3S

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.0247Ω

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6.3nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

33W

Maximal arbetstemperatur

+150°C

Längd

3.3mm

Bredd

3.3mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Vishay SIZ260DT-serien MOSFET, 33 W maximal effektförlust, 80 V maximal drain source-spänning - SIZ260DT-T1-GE3


Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanalstransistor som är utformad för strömomkoppling i kompakt elektronik. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är lämplig för tillämpningar som kräver måttlig spänningshantering och hög kontinuerlig strömkapacitet. Enheten är RoHS-kompatibel och levereras i ett kompakt PowerPAIR 3x3S-paket för täta kortlayouter.

Funktioner och fördelar:


• 80 V drain-source-klassning möjliggör medelspänningsswitchning
• Kontinuerlig dräneringsström på 8.9 A stöder kretsar med hög belastning
• 0.0247 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster för effektivitet
• 6.3 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare grinddrivarrespons
• Maximal effektförlust på 33 W hanterar termisk stress
• Gränsen för 20 V gate-source ger en bred gate-drivmarginal

Användningsområden


• Lämplig för omkopplingssteg för DC/DC-omvandlare
• Används för konfigurationer av motordrivna halvbryggor
• Idealisk för strömhantering i telekomutrustning
• Kan användas för synkronlikriktelse i SMPS
• Lämplig för högströmslastswitchar på kompakta kort

Vilket förpackningsfotavtryck ska jag tillåta montering?


Enheten levereras i ett PowerPAIR 3x3S-paket för ytmontering med ett nominellt fotavtryck på 3,3 mm x 3,3 mm och åtta stift, så designplattor måste matcha den kompakta konturen.

Hur beter den sig i extrema temperaturer?


Den är specifik för drift från -55 °C upp till +150 °C och upprätthåller lednings- och omkopplingsegenskaper inom detta temperaturområde.

Vilka begränsningar för grinddrivning måste iakttas?


Den maximala tillåtna gate-källspänningen är 20 V

bör gate-drivkretsar utformas för att hålla Vgs inom denna gräns för att förhindra enhetsbelastning.

Hur bör värmehantering beaktas i konstruktioner?


Med en maximal effektförlust på 33 W bör tillräcklig kretskortskoppar, termiska ledningar eller kylelement integreras för att hålla kopplingstemperaturen inom säkra gränser.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.