Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 40 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, EF AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

79,18 kr

(exkl. moms)

98,98 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 050 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 979,18 kr
10 - 2474,48 kr
25 - 4967,31 kr
50 - 9963,28 kr
100 +59,36 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
252-0264
Tillv. art.nr:
SIHK055N60EF-T1GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

40A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

EF

Kapseltyp

PowerPAK 10 x 12

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.05mΩ

Kanalläge

Avskrivningar

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

90nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

236W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

+150°C

Bredd

5.15mm

Längd

6.15mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Vishay EF-serien effekt-MOSFET, 650 V drain-källspänning, 40 A maximal kontinuerlig drain-ström – SIHK055N60EF-T1GE3


Denna effekt-MOSFET är en högspännings-, N-kanal-enhet som är utformad för krävande effektomvandlings- och fordonstillämpningar. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är avsedd för ytmonterad implementering där robust omkoppling, hög spänningstolerans och fordonskvalificering krävs.

Funktioner och fördelar:


• 650 V avtappningsklassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar • 40 A kontinuerlig ström stöder betydande belastningsströmmar • 0,05 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster under drift • 236 W effektförlust möjliggör hög termisk genomströmning • 90 nC typisk grindladdning minskar omkopplingsenergi per övergång • AEC-Q101-kvalificering uppfyller fordonsbelastnings- och tillförlitlighetsbehov

Användningsområden


• Lämpligt för dragväxelriktarsteg i fordonselektronik • Idealisk för högspännings-DC-omvandlare inom industriell automation • Används för switchade nätaggregat i strömfördelningssystem • Kan användas för motorstyrningssteg som kräver hög strömkapacitet • Lämpligt för kompakta ytmonterade strömmoduler

Vilka grinddrivaröverväganden krävs för effektiv omkoppling?


Drivkretsar bör rymma upp till ±20 V gate-exkursion och leverera tillräcklig toppström för att ladda 90 nC gate till de valda Vgs för den definierade omkopplingshastigheten samtidigt som du hanterar omkopplingsförluster.

Hur påverkar värmehanteringen kontinuerlig drift?


För att upprätthålla 236 W-förlusten är termiska vägar som stora kopparplan eller värmesänkning till PowerPAK-substratet nödvändiga för att hålla kopplingstemperaturen inom den angivna gränsen på +150 °C.

Vilka monterings- och layoutmetoder förbättrar prestandan?


Använd ytmonterade layouter med låg induktans med korta, breda spår för dränering och källa, och placera grindmotstånd och avkoppling nära stift för att minska ringning och elektromagnetisk störning.

Vilket miljöområde kan förväntas för fältanvändning?


Enheten är specifik för drift från -55 °C upp till +150 °C, med stöd för ett brett intervall av omgivnings- och förhöjda kopplingsförhållanden i industri- och fordonsmiljöer.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.