Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.30 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 250-0556
- Distrelec artikelnummer:
- 304-40-501
- Tillv. art.nr:
- BSS306NH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (10 enheter, i en förpackning med 10)*
31,14 kr
(exkl. moms)
38,92 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 16 420 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 3,114 kr | 31,14 kr |
| 100 - 240 | 2,968 kr | 29,68 kr |
| 250 - 490 | 2,834 kr | 28,34 kr |
| 500 - 990 | 2,71 kr | 27,10 kr |
| 1000 + | 2,173 kr | 21,73 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 250-0556
- Distrelec artikelnummer:
- 304-40-501
- Tillv. art.nr:
- BSS306NH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | BSS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 57mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie BSS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 57mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon tillverkar N-kanals Enhancement-läge mOSFET-transistor för små signaler används ofta i högswitchande applikationer. Den är lavinklassad och halogenfri. Denna enhet är OptiMOS 2, liten signal-transistor. Logiknivån (4,5V klassad) och Avalanche-klassad. Den är 100% blyfri och halogenfri.
N-kanal, förstärkningsläge
Logisk nivå 4,5V nominell
Maximal effektförlust är 500mW
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 0.23 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 0.15 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 0.3 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 0.54 A 55 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 0.9 A 100 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 0.28 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, BSS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 0.1 A 250 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 0.09 A 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-89, BSS AEC-Q101